时间：2025/9/16 11:33:52
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VMMK-2103-TR1G 是一款由 Broadcom（安华高）制造的 GaAs（砷化镓）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA），专为高频和宽带应用设计。该器件工作频率范围覆盖从直流（DC）到超过10 GHz的范围，具有卓越的噪声性能和高增益特性。由于其出色的性能，VMMK-2103-TR1G 广泛用于无线通信、射频测试设备、宽带放大器以及雷达和测量仪器等领域。
工作频率范围：DC ~ 10 GHz
噪声系数（NF）：典型值为 1.5 dB @ 2 GHz
增益：典型值为 17 dB @ 2 GHz
输出三阶交调点（OIP3）：典型值为 +18 dBm
输入驻波比（VSWR）：1.5:1 最大
电源电压：5V
工作电流：典型值为 55 mA
封装形式：SOT-343
VMMK-2103-TR1G 具有一系列卓越的射频性能，使其成为高性能低噪声放大应用的理想选择。首先，该器件采用 GaAs 工艺制造，具有优异的高频响应和低噪声特性，能够在高达10 GHz的频率下保持稳定的性能表现。
其次，该放大器的噪声系数（NF）在2 GHz下典型值为1.5 dB，确保了在接收系统中能够最大限度地降低系统噪声，提高接收灵敏度。同时，其增益在2 GHz下可达到17 dB，满足大多数射频前端对增益的需求。
此外，VMMK-2103-TR1G 的输出三阶交调点（OIP3）为+18 dBm，表明其在存在强信号干扰时仍能保持良好的线性度，减少信号失真，适用于多信号共存的复杂环境。
该器件的输入驻波比（VSWR）为1.5:1，显示出良好的输入匹配性能，有助于减少信号反射，提高系统稳定性。工作电压为5V，典型工作电流为55 mA，功耗较低，适合电池供电或对功耗有要求的便携式设备。
封装方面，VMMK-2103-TR1G 采用 SOT-343 封装，体积小巧，便于集成在高密度电路设计中，同时也支持表面贴装工艺，提高了生产效率。
VMMK-2103-TR1G 主要用于需要高性能低噪声放大的射频系统中。例如，在无线通信系统中，它可以作为接收前端的低噪声放大器，显著提高接收机的灵敏度。在射频测试设备中，该器件可用于放大微弱信号以提高测量精度。此外，它还适用于宽带放大器、卫星通信、雷达系统、无线局域网（WLAN）、蜂窝基站和频谱分析仪等应用场合。
由于其宽频带特性，VMMK-2103-TR1G 可以覆盖多个通信频段，减少了设计中对多个专用放大器的需求，从而简化了电路设计并降低了成本。对于需要在高频环境下保持稳定性能的系统来说，该器件是一个非常可靠的选择。
AVAGO: MGA-63163, MINI-CIRCUITS: ERA-51SM, NEC: uPC1675TB
