时间：2025/9/16 6:47:11
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VMMK-1225-TR1G 是一款由 Vishay（威世科技）公司生产的高性能射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高频和超高频应用，例如无线通信、射频放大器和射频开关等场景。该器件采用先进的硅栅CMOS工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的线性性能，适合于要求高效率和高性能的射频电路设计。
类型：射频MOSFET晶体管
制造商：Vishay（威世科技）
型号：VMMK-1225-TR1G
封装类型：SOT-363
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
漏源电压（VDS）：10V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：最大100mA
频率范围：最高可达6GHz
导通电阻（RDS(on))：典型值为2.5Ω
增益：典型值为18dB
噪声系数：典型值为0.45dB
功耗：最大200mW
VMMK-1225-TR1G 是一款专为射频应用设计的高性能MOSFET晶体管，其采用先进的硅CMOS工艺制造，具有优异的高频特性和线性度，适用于需要高信号完整性的射频系统。该器件的导通电阻非常低，通常为2.5Ω，这有助于降低信号损耗并提高整体效率。此外，VMMK-1225-TR1G 的噪声系数非常低，典型值仅为0.45dB，使其非常适合用于低噪声放大器（LNA）等对噪声敏感的应用场景。
该晶体管的频率范围非常宽，最高可支持6GHz，适用于包括Wi-Fi、蓝牙、蜂窝通信和卫星通信在内的多种现代无线通信标准。其高增益特性（典型值为18dB）有助于减少信号链中所需的放大级数，从而简化电路设计并降低成本。VMMK-1225-TR1G 采用SOT-363封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时具有良好的热稳定性和可靠性。
此外，该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用。VMMK-1225-TR1G 的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，使其在不同控制电路中都能灵活使用。
VMMK-1225-TR1G 主要应用于射频放大器，特别是在低噪声放大器（LNA）设计中表现出色，能够有效放大微弱信号而不引入过多噪声。它也常用于射频开关电路，用于切换不同信号路径，例如在多频段或多模式通信系统中。此外，该器件适用于无线基础设施设备，如基站、无线接入点和卫星通信设备。由于其高频性能和低功耗特性，VMMK-1225-TR1G 也广泛用于消费类电子产品中的射频前端模块，如智能手机、平板电脑和物联网设备。
VMMK-1220-TR1G, BGS12PL6, PMB235, BF998
