时间：2025/6/30 9:49:06
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MTP8N20是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件以其低导通电阻和高效率著称，适合于需要高频开关和低损耗的应用环境。
其封装形式通常为TO-220或SMD封装，具体取决于制造商的工艺设计。MTP8N20能够在较高的电压环境下工作，同时保持较低的功耗特性，因此在中小功率电子设备中具有良好的适用性。
最大漏源电压：200V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：8A
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
功耗：15W
结温范围：-55℃至+150℃
MTP8N20具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达200V的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻，在大电流条件下可有效减少功率损耗。
3. 快速开关性能，有助于提高系统效率并降低电磁干扰。
4. 热稳定性良好，能够在较宽的温度范围内正常运行。
5. 封装形式多样化，便于不同电路设计需求的选择。
MTP8N20的主要应用领域包括：
1. 开关电源中的高频整流和逆变功能。
2. 电机驱动电路中的功率控制与保护。
3. 负载开关及过流保护电路。
4. 电池管理系统中的开关元件。
5. 各类工业自动化设备中的功率调节组件。
IRFZ44N
STP8NB60Z
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