产品系列：VLS2520
　　电感值：1.0 μH
　　允许偏差：±30%
　　额定电流（Irms）：1100 mA
　　直流电阻（DCR）：典型值90 mΩ，最大值100 mΩ
　　饱和电流（Isat）：1400 mA（电感下降约30%）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +155°C
　　封装尺寸：2.5 mm x 2.0 mm x 1.2 mm
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　屏蔽类型：金属合金磁芯屏蔽，低EMI辐射
　　端子材料：无铅，符合RoHS标准

VLS252012MNT-1R0N采用先进的金属合金粉末压制磁芯技术，结合扁平铜导线绕制工艺，在保证高磁导率的同时显著降低了铜损和铁损，从而实现了高效能量传输与低功耗发热。其内部结构经过优化设计，具备优异的磁屏蔽性能，可有效减少外部磁场干扰及邻近元件间的耦合噪声，特别适用于高密度PCB布局中的电源模块应用。
　　该电感器具有极低的直流电阻（DCR），典型值仅为90 mΩ，有助于降低在大电流条件下的I2R损耗，提高电源转换效率，尤其适合电池供电设备以延长续航时间。同时，它支持高达1100 mA的均方根电流（Irms）和1400 mA的饱和电流（Isat），表现出良好的电流处理能力和瞬态响应特性，能够在负载突变时维持稳定的电感性能。
　　器件的工作温度范围宽达-40°C至+125°C，满足工业级和消费类电子产品的严苛环境要求。其小型化尺寸（2.5×2.0×1.2 mm）使其成为空间受限应用的理想选择，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。此外，产品符合AEC-Q200标准，具备良好的耐热冲击、湿度抵抗和机械强度，适合回流焊工艺，并通过了严格的可靠性测试，确保长期使用的稳定性与安全性。
　　VLS252012MNT-1R0N还具备出色的频率响应特性，适用于数百kHz到数MHz的开关频率范围，广泛用于降压（Buck）、升压（Boost）及升降压（Buck-Boost）型DC-DC变换器中。由于其低电磁辐射特性，有助于简化EMI滤波电路设计，降低系统成本并加快产品认证进程。

VLS252012MNT-1R0N主要用于各类需要高效能、小体积功率电感的电源管理电路中。典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的电压调节模块（VRM）和DC-DC转换器。在这些设备中，该电感用于实现高效的电源转换，支持处理器、内存和传感器等关键组件的低电压大电流供电需求。
　　此外，该器件也广泛应用于无线通信模块、蓝牙耳机、物联网（IoT）终端设备以及小型化电源适配器中，用于构建高性能的开关电源系统。其低EMI特性使其特别适合对电磁兼容性要求较高的射频（RF）前端供电电路，避免电源噪声干扰通信信号质量。
　　在工业控制领域，VLS252012MNT-1R0N可用于嵌入式控制器、传感器节点和LED驱动电源中，提供稳定可靠的电源滤波与储能功能。其高饱和电流和良好温升特性也使其适用于汽车电子中的非动力系统，例如车载信息娱乐系统、仪表盘显示模块和ADAS辅助系统的局部电源管理单元。
　　由于其符合RoHS标准且具备良好的焊接兼容性，适合自动化SMT生产线使用，因此也被广泛用于批量制造的电子产品中，帮助制造商提升生产效率并确保产品一致性。

VLS252012ET-1R0N
　　SRP252012A-1R0M
　　XAL252012-1R0