STB80NE03L-06T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压 MOSFET 芯片,属于 STPOWER 系列。该器件采用 Trench 技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合于高效率开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。
这款芯片以其卓越的耐压性能和低损耗特性而著称,广泛应用于工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。
型号:STB80NE03L-06T4
类型:N 沟道增强型 MOSFET
Vds(漏源极电压):80V
Rds(on)(导通电阻):2.9mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
Id(连续漏极电流):75A(最大值,@ Tc=25°C)
Ptot(总功耗):240W(最大值,@ Tc=25°C)
Vgs(栅源极电压):±20V
f(工作频率):支持高频应用
封装形式:TO-220AC
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
STB80NE03L-06T4 的主要特性包括:
1. 高电压耐受能力:其额定漏源极电压为 80V,能够满足大多数高压应用场景的需求。
2. 极低的导通电阻:在标准测试条件下,导通电阻仅为 2.9mΩ,从而大幅降低了传导损耗。
3. 快速开关性能:具备快速开关速度,有助于提高系统效率并减少电磁干扰。
4. 增强的热性能:采用 TO-220AC 封装设计,可有效改善散热效果,适用于高功率密度应用。
5. 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 +175°C 的极端环境温度,确保了器件在各种条件下的稳定性与可靠性。
6. 高电流承载能力:连续漏极电流高达 75A,能够应对高负载需求的应用场景。
STB80NE03L-06T4 可用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路,例如无刷直流电机 (BLDC) 或步进电机的控制。
3. 逆变器和 UPS 系统中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的功率切换模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和牵引逆变器。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景,如 LED 驱动器、太阳能微逆变器等。
STB80NF03L-06T4, IRF840, FDP15U60N