产品类型：功率电感
　　封装/外壳：2520
　　电感值：1.5 μH
　　额定电流：1.3 A
　　饱和电流：1.7 A
　　温升电流：1.3 A
　　直流电阻（DCR）：98 mΩ
　　自谐振频率：40 MHz
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　最大高度：1.0 mm
　　屏蔽类型：半屏蔽
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　感值公差：±30%

VLS252010ET-1R5N 具备多项关键特性，使其在同类电感器中表现突出。首先，其采用金属合金粉末复合磁芯材料，这种材料不仅具有优异的磁导率稳定性，还能在高电流条件下有效抵抗磁芯饱和现象。这意味着即使在负载突变或瞬态响应过程中，电感能够维持相对恒定的电感值，从而保证DC-DC转换器输出电压的稳定性和动态响应能力。这一特性对于现代高性能处理器、FPGA或SoC供电所需的快速负载切换尤为重要。
　　其次，该电感拥有极低的直流电阻（典型值为98mΩ），显著降低了铜损，提高了电源转换效率，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。同时，低DCR也有助于减少发热，提高系统热管理的可行性。其额定电流可达1.3A，饱和电流高达1.7A，在小型封装内实现了出色的电流承载能力，满足多数中等功率降压或升压电路的需求。
　　第三，VLS252010ET-1R5N 采用半屏蔽结构设计，兼顾了电磁兼容性（EMI）控制与体积优化。相比全屏蔽电感，它在保持较低辐射噪声的同时，实现了更薄的外形（仅1.0mm高），适合超薄电子产品。其自谐振频率达到40MHz，支持在高频开关电源中使用，例如基于同步整流技术的Buck转换器，可在缩小外部元件尺寸的同时提升开关频率，进一步减小整体电源模块体积。
　　最后，该器件具备良好的温度稳定性与耐久性，可在-40°C至+125°C的宽温范围内可靠运行，并通过AEC-Q200认证，表明其适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块等汽车级应用场景。其端子采用铜材并镀锡处理，增强了可焊性与抗腐蚀能力，支持回流焊工艺，适应大规模自动化生产。综合来看，VLS252010ET-1R5N 是一款高性能、高集成度的功率电感解决方案。

VLS252010ET-1R5N 广泛应用于各类需要高效、小型化电源管理的电子系统中。最常见的用途是作为降压型（Buck）DC-DC转换器中的储能电感，用于将较高的输入电压（如5V或12V）转换为处理器、内存、传感器等核心组件所需的低电压（如1.8V、1.2V或更低）。由于其高饱和电流和低直流电阻特性，特别适合用于移动设备中的电源轨设计，例如智能手机、平板电脑和智能手表中的PMU（电源管理单元）外围电路。
　　在计算领域，该电感也常用于笔记本电脑主板、嵌入式工控板卡以及FPGA或ASIC的辅助电源模块中，为I/O电压或内核电压提供稳定的滤波与储能功能。此外，在LED驱动电路中，它可以作为升压（Boost）或恒流源拓扑的一部分，确保LED亮度均匀且无闪烁。
　　在通信设备方面，VLS252010ET-1R5N 可用于路由器、交换机或无线模块的板载电源系统，特别是在PoE（以太网供电）相关电源转换环节中发挥重要作用。其高频特性使其能配合现代高频率开关控制器（如支持MHz级开关频率的TI或Analog Devices芯片）协同工作，实现更高的功率密度。
　　值得一提的是，由于该器件通过AEC-Q200认证，因此也被广泛应用于汽车电子系统中，包括车载摄像头模组、仪表盘显示驱动、车身控制模块（BCM）以及车载信息娱乐系统（IVI）的电源设计。其耐高温、抗振动和长期可靠性特点，确保在恶劣的车载环境下仍能稳定运行。此外，工业自动化设备、医疗便携仪器以及物联网（IoT）节点设备也是其重要应用方向。

IHLP252010A-1R5N
　　 SRP252010-1R5N
　　 XAL252010-1R5N
　　 CDRH8DNP-1R5NC