存储容量：256K位（32K x 8）
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　接口类型：并行接口（8位）
　　最大读取时间：55ns
　　最大写入时间：55ns
　　写入耐久性：100亿次
　　数据保持时间：10年（无需电池）
　　封装引脚数：54
　　封装尺寸：22.0mm x 15.0mm x 1.0mm

FB5S029JA1R2000的铁电存储器核心技术使其具备出色的读写性能和数据保持能力。与传统的EEPROM和Flash存储器不同，FRAM不需要长时间的写入周期，且没有写入次数的限制，支持无限次的数据写入操作。这使得FB5S029JA1R2000在需要频繁写入的应用中表现优异，同时降低了系统的功耗。
　　此外，FB5S029JA1R2000具有低功耗特性，适合电池供电设备使用。在正常工作模式下，芯片的功耗非常低，待机模式下的电流更是微乎其微。这种节能设计有助于延长设备的电池寿命，并降低整体系统的能耗。
　　FB5S029JA1R2000还具备高可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定的数据存储。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用。芯片内置的数据保护机制确保在断电或系统故障的情况下数据不会丢失，保证了数据的完整性。
　　该芯片的并行接口设计使其与主控芯片的连接更加简单，减少了硬件设计的复杂性。此外，FB5S029JA1R2000的封装尺寸较小，适合空间受限的应用场景，如便携式电子设备和嵌入式系统。

FB5S029JA1R2000广泛应用于多个领域，包括工业控制系统、智能仪表、医疗设备、消费电子产品以及汽车电子系统。在工业控制中，FB5S029JA1R2000可以用于存储关键参数和运行日志；在智能仪表中，可用于记录实时数据和配置信息；在医疗设备中，可用于存储患者数据和操作记录；在消费电子产品中，可用于需要频繁写入的小型数据存储；在汽车电子系统中，可用于存储车辆状态和故障诊断信息。
　　由于FB5S029JA1R2000具备高速读写、低功耗和高可靠性等特性，因此特别适合用于需要高数据完整性和实时性的应用场合，如实时数据采集、系统状态监控和非易失性缓存。

FM24C256-GTR, CYFRAM38S1024A-BAE, MB85RS2MT