型号：B82432T1104K
　　品牌：TDK / EPCOS
　　电容值：100nF (104)
　　额定电压：100V DC
　　电介质材料：C0G (NP0)
　　容差：±10%
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：±30ppm/°C
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ 或 R × C ≥ 1000s
　　最大厚度：约1.6mm
　　端接类型：镍阻挡层 + 锡外涂层
　　ESR（等效串联电阻）：极低
　　ESL（等效串联电感）：低
　　适用焊接方式：回流焊

B82432T1104K所采用的C0G（也称为NP0）电介质材料是目前最稳定的陶瓷材料之一，能够在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）保持电容值的高度稳定，其容量变化不超过±30ppm/°C，这意味着即使在极端温变环境下，该电容器仍能维持精确的电气特性，不会因温度波动而引起电路失谐或性能漂移。这种温度稳定性使其特别适用于高精度滤波、射频匹配网络、时钟振荡电路和ADC/DAC参考电压旁路等关键应用场景。
　　该器件的电气损耗极低，典型的耗散因数（DF）小于0.1%，表明其能量转换效率极高，在高频工作条件下产生的热量极少，从而提升了系统整体的可靠性和能效表现。由于C0G材料本质上是非铁电性的，因此它不表现出电压依赖性，即电容值在施加直流偏压时几乎不变，这与X7R、Y5V等高介电常数材料形成鲜明对比，后者在偏压下电容会显著下降。
　　B82432T1104K的结构设计采用了多层叠片技术，通过交替堆叠内电极和陶瓷介质层实现高电容密度的同时保持良好的高频响应。尽管其容量为100nF，在C0G类别中属于较高水平，但仍能保持优异的频率响应特性，适用于高达数百MHz的频率范围。这一特点使其成为射频前端模块、无线通信设备和高速数字系统的去耦和旁路首选元件。
　　机械方面，该MLCC具备良好的抗弯曲裂纹能力，1210封装尺寸在强度与布板空间之间取得良好平衡。端子采用镍锡双层金属化处理，确保良好的可焊性和长期连接可靠性，并兼容无铅回流焊工艺。此外，产品经过严格的可靠性测试，包括高温存储、温度循环、湿度敏感度等级（MSL）评估等，确保在各类工业和商业应用中的耐用性。

B82432T1104K广泛应用于对电容稳定性要求极高的电子系统中。在射频和微波电路中，它常用于LC谐振回路、阻抗匹配网络和带通滤波器，以确保信号传输的准确性和最小相位失真。在精密模拟电路中，如运算放大器反馈网络、有源滤波器和数据采集系统中，其稳定的电容值可防止增益漂移和频率响应变化，提升系统测量精度。该器件还常见于时钟和定时电路，例如与晶体振荡器并联使用，提供稳定的负载电容，保障频率输出的长期稳定性。在电源管理单元中，B82432T1104K作为高性能去耦电容，有效滤除高频噪声，保护敏感芯片免受电压波动影响。此外，其高电压额定值和优良的可靠性也使其适用于工业控制设备、医疗电子、汽车电子（非动力总成部分）以及测试与测量仪器等领域。由于其符合环保法规且支持自动化生产，也被大量用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中。

C1210C104K5RACTU
　　GRM32ER71H104KA12
　　CL31A106KBHNNNE
　　ECJ-3YB1H104K