产品系列：VLS-HBX
　　封装尺寸：2.0 mm × 1.6 mm × 1.0 mm
　　电感值：0.24 μH
　　电感公差：±20%
　　额定电流（Isat）：1.8 A（典型值，电感下降30%）
　　温升电流（Irms）：1.5 A（典型值，温升40°C）
　　直流电阻（DCR）：24 mΩ（最大值）
　　自谐振频率（SRF）：≥ 1 GHz（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　端子涂层：银（Ag）
　　磁屏蔽类型：全屏蔽结构，低EMI辐射
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：AEC-Q200（部分型号）、RoHS合规、无卤素

VLS201610HBX-R24M-1 采用高性能金属合金磁芯材料，这种材料由铁硅铝或类似软磁复合粉末构成，经过高压成型和热处理工艺，确保了磁芯在高频下仍能保持稳定的磁导率和较低的涡流损耗。该材料具有极高的饱和磁通密度，使得电感器在大电流通过时不易发生磁饱和现象，从而保障电路中的电流调节精度与稳定性。同时，金属合金磁芯具备良好的温度稳定性，在极端温度环境下仍能维持其电气特性，避免因温漂导致性能下降。该磁芯还具备优异的抗老化能力，长期运行后电感值变化极小，提升了系统的可靠性与寿命。
　　该电感器采用全屏蔽结构设计，能够有效抑制外部磁场泄漏，降低电磁干扰（EMI），这对于高密度PCB布局尤为重要。屏蔽结构还能防止邻近元器件受到磁场影响，提高整体系统的电磁兼容性（EMC）。此外，屏蔽设计增强了对机械振动和冲击的耐受能力，适合在移动设备或工业环境中使用。器件本体表面光滑且绝缘层均匀，具备一定的防潮、防腐蚀能力，可在恶劣环境条件下稳定运行。
　　VLS201610HBX-R24M-1 拥有非常低的直流电阻（DCR），典型值仅为24 mΩ，这显著减少了在大电流应用中的I2R功率损耗，提高了电源转换效率，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。其高频自谐振频率（SRF）超过1 GHz，表明其在高频开关电源（如同步降压变换器）中仍能保持优良的电感特性，不会过早进入容性区，从而保证控制环路的稳定性。此外，该器件支持快速瞬态响应，有助于提升动态负载条件下的输出电压稳定性。
　　由于其微型化封装（2016尺寸，即2.0×1.6mm），VLS201610HBX-R24M-1 非常适合空间受限的应用场景，例如智能手机主板、TWS耳机电源模块等。它支持自动化贴片生产，焊接兼容JEDEC标准回流焊曲线，具备良好的可制造性。产品符合RoHS和无卤要求，满足现代环保法规。同时，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏置、温度循环、机械冲击等，确保在复杂工况下的长期可靠运行。

VLS201610HBX-R24M-1 主要应用于需要高效能、小体积功率电感的便携式电子产品中。其最常见的用途是在同步整流降压型DC-DC转换器中作为储能电感，配合控制器和MOSFET实现高效的电压调节。例如，在智能手机的SoC核心供电（Vcore）、GPU电源轨或内存接口电源（如LPDDR）中，该电感能够提供稳定的电流输出，支持动态电压调节技术（DVS），满足处理器在不同工作模式下的功耗需求。此外，它也常用于PMU（电源管理单元）模块中，为多个子系统提供独立的稳压电源。
　　在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，由于内部空间极为有限，对元器件的小型化要求极高，VLS201610HBX-R24M-1 凭借其紧凑尺寸和高电流承载能力成为理想选择。同样，在真无线立体声（TWS）耳机中，用于充电仓和耳机本体的升压或降压电路中也可采用此类电感，以提升能量转换效率并延长电池使用时间。
　　除此之外，该器件还适用于其他低电压、高电流应用场景，如Wi-Fi模块、蓝牙模组、摄像头模组供电、LED背光驱动电路等。在这些系统中，电源噪声控制至关重要，而该电感的低EMI特性有助于改善信号完整性。其高饱和电流特性也使其可用于短时峰值负载较大的场合，例如射频功率放大器的供电路径中。随着物联网设备和边缘计算终端的发展，这类高性能微型电感的需求将持续增长。

VLS201610HBX-R24M