产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：3.3μF
　　额定电压：18V DC
　　容差：±20%
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装/尺寸：0603（1608 公制）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：陶瓷（X7R）
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn）
　　高度（最大）：约 1.05mm
　　老化率：典型值为 <2.5%/decade at 25°C
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 时间常数 ≥100S·μF（取较大者）
　　耐湿性：符合 IEC 60068-1 标准

VLM10555T-R33M180-3作为一款高性能的表面贴装多层陶瓷电容器，具备多项优异的技术特性，使其在现代电子系统中表现出色。
　　首先，该器件采用X7R型陶瓷介质，这种材料在宽温度范围内具有极高的稳定性，能够在-55°C到+125°C之间保持电容值的变化不超过±15%，这对于工作环境温度波动较大的应用场景至关重要，例如汽车电子或工业控制系统。相比Y5V等其他介电材料，X7R提供了更稳定的电容表现，避免因温度变化导致电路性能漂移。
　　其次，该电容器的结构基于先进的多层叠层技术，通过将多个陶瓷层与内电极交替堆叠并共烧而成，从而在微小的0603封装内实现高达3.3μF的电容值。这一高容量密度设计有效节省了PCB空间，满足当前电子产品向轻薄化、小型化发展的趋势。同时，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其非常适合用于高频去耦和电源旁路应用，能快速响应瞬态电流需求，提升电源完整性。
　　再者，该器件采用镍/锡（Ni/Sn）端接结构，不仅保证了良好的可焊性，还增强了抗热疲劳能力，能够在多次回流焊接过程中保持可靠的连接。其端子设计符合J-STD-020标准，适用于无铅回流焊工艺，满足现代绿色制造的要求。
　　此外，该电容器具有出色的直流偏压特性，在施加接近额定电压的直流偏置时仍能维持较高比例的标称电容值，这在低压电源轨的滤波应用中尤为重要。测试数据显示，在18V偏压下，其实际电容值仍可保持在标称值的70%以上，显著优于同类产品。
　　最后，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温储存、温度循环、湿度负载和耐久性试验，确保在恶劣环境下长期稳定运行。其高绝缘电阻（≥1000MΩ）和低漏电流特性也使其适用于高阻抗电路和精密模拟信号路径中的耦合与滤波应用。

VLM10555T-R33M180-3凭借其高容量、小尺寸和优良的温度稳定性，被广泛应用于多种电子领域。
　　在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该电容器常用于电源管理单元（PMU）的输入/输出滤波、DC-DC转换器的去耦以及音频放大器的耦合电路，帮助抑制噪声并提高系统效率。其小型化封装特别适合高密度PCB布局需求。
　　在通信设备方面，该器件可用于射频模块、Wi-Fi模组和基站前端电路中，作为旁路电容以稳定供电电压，减少高频干扰对敏感电路的影响。其低ESR和ESL特性有助于改善信号完整性和电磁兼容性（EMC）性能。
　　在汽车电子系统中，该电容器适用于车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统、ADAS传感器供电电路以及车载充电器（OBC）等场景。得益于其宽温工作范围和高可靠性，能够在发动机舱附近的高温环境中稳定运行。
　　工业自动化设备，如PLC控制器、电机驱动器和工业HMI界面，也大量使用此类电容器进行电源去耦和噪声滤除，保障控制系统在复杂电磁环境下的正常运作。
　　此外，在医疗电子、测试测量仪器和物联网（IoT）节点设备中，该器件因其稳定的电气性能和长寿命特点，成为设计师首选的被动元件之一。无论是用于模拟前端滤波还是数字电源轨旁路，VLM10555T-R33M180-3都能提供一致且可靠的性能支持。

GRM188R71C336KA01D
　　CL10A336MO8NPNC
　　C1608X7R1C336K