时间：2025/7/22 7:45:04
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STP5NB100FP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET，具有高耐压和低导通电阻的特点。该器件主要用于需要高效能和高可靠性的应用，例如电源转换、电机控制、开关电源（SMPS）、逆变器和负载管理。STP5NB100FP采用了先进的技术，以提供卓越的性能，适用于多种高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：4.8A
导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（典型值）
最大功耗（PD）：60W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220FP
STP5NB100FP具备多项优异特性，包括高耐压能力和低导通电阻，这使其在高功率应用中表现优异。
首先，该MOSFET的最大漏源电压为100V，能够在高压环境下稳定运行，适合需要高电压隔离的应用场景。
其次，其导通电阻仅为2.2Ω，降低了导通损耗，提高了整体能效。
此外，STP5NB100FP的最大连续漏极电流为4.8A，支持中等功率的电流传输，适用于多种电源管理和电机控制应用。
该器件的封装形式为TO-220FP，这种封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，以确保长时间运行的稳定性。
最后，STP5NB100FP的工作温度范围为-55°C至150°C，适应极端环境下的工作需求，适用于工业和汽车电子等严苛应用环境。
STP5NB100FP广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和负载管理电路。在开关电源中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效的能量转换。在电机控制电路中，STP5NB100FP用于驱动直流电机或步进电机，提供稳定的电流控制。此外，该器件也适用于电池管理系统，用于控制电池充放电过程，确保电池工作的安全性和可靠性。在汽车电子领域，STP5NB100FP可用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器等应用。由于其高耐压、低导通电阻和良好的散热性能，STP5NB100FP成为多种高功率应用的理想选择。
STP5NB100FP的替代型号包括IRF540N、FDP5N50和STP5NK60ZFP。
