STP5NB100FP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET,具有高耐压和低导通电阻的特点。该器件主要用于需要高效能和高可靠性的应用,例如电源转换、电机控制、开关电源(SMPS)、逆变器和负载管理。STP5NB100FP采用了先进的技术,以提供卓越的性能,适用于多种高功率应用场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):4.8A
导通电阻(RDS(on)):2.2Ω(典型值)
最大功耗(PD):60W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220FP
STP5NB100FP具备多项优异特性,包括高耐压能力和低导通电阻,这使其在高功率应用中表现优异。
首先,该MOSFET的最大漏源电压为100V,能够在高压环境下稳定运行,适合需要高电压隔离的应用场景。
其次,其导通电阻仅为2.2Ω,降低了导通损耗,提高了整体能效。
此外,STP5NB100FP的最大连续漏极电流为4.8A,支持中等功率的电流传输,适用于多种电源管理和电机控制应用。
该器件的封装形式为TO-220FP,这种封装设计不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,以确保长时间运行的稳定性。
最后,STP5NB100FP的工作温度范围为-55°C至150°C,适应极端环境下的工作需求,适用于工业和汽车电子等严苛应用环境。
STP5NB100FP广泛应用于多个领域,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和负载管理电路。在开关电源中,该MOSFET可作为主开关器件,实现高效的能量转换。在电机控制电路中,STP5NB100FP用于驱动直流电机或步进电机,提供稳定的电流控制。此外,该器件也适用于电池管理系统,用于控制电池充放电过程,确保电池工作的安全性和可靠性。在汽车电子领域,STP5NB100FP可用于车身控制模块、电动助力转向系统(EPS)和车载充电器等应用。由于其高耐压、低导通电阻和良好的散热性能,STP5NB100FP成为多种高功率应用的理想选择。
STP5NB100FP的替代型号包括IRF540N、FDP5N50和STP5NK60ZFP。