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VLF302510MT-2R2M 发布时间 时间:2025/11/25 14:49:40 查看 阅读:76

VLF302510MT-2R2M是TDK公司生产的一款大电流、高效率的功率电感器,属于VLF系列,专为满足现代电子设备对小型化、高性能和高可靠性需求而设计。该电感器采用金属合金粉末磁芯和扁平线圈结构,具有低直流电阻(DCR)、高饱和电流和出色的温度稳定性,适用于在紧凑空间内处理较大电流的应用场景。其型号中的'VLF302510'表示封装尺寸为3.0mm x 2.5mm x 1.0mm,'2R2M'代表电感值为2.2μH,误差等级为±20%。该器件广泛应用于移动设备、笔记本电脑、服务器、FPGA以及各类DC-DC转换器中,作为输出滤波或储能元件,能够有效提升电源转换效率并降低系统功耗。此外,该电感器具备良好的抗电磁干扰(EMI)能力,有助于满足严格的电磁兼容性要求。

参数

产品系列:VLF
  封装尺寸:3.0mm x 2.5mm x 1.0mm
  电感值:2.2μH
  电感公差:±20%
  额定电流(Isat):1.8A
  额定电流(Itemp):1.4A
  直流电阻(DCR)典型值:68mΩ
  屏蔽类型:磁屏蔽
  工作温度范围:-55°C 至 +155°C
  应用端电压等级:适用于中低压DC-DC变换
  安装方式:表面贴装(SMD)
  引脚数:2
  感应频率测试条件:100kHz, 0.1Vrms

特性

VLF302510MT-2R2M功率电感器的核心优势在于其采用先进的金属合金磁粉压制而成的磁芯材料,这种材料不仅具备优异的磁导率稳定性,还能在大电流下保持较高的电感保持率,避免因电流上升导致的快速饱和现象。其扁平线圈设计显著降低了绕组的交流电阻和集肤效应影响,从而提升了整体效率,并减少了高频工作时的铜损。该电感器具有极低的直流电阻(典型值仅为68mΩ),这直接降低了在大电流应用中的功率损耗和温升,有助于提高系统的热管理性能。
  此外,该器件采用全屏蔽结构,能有效抑制外部磁场泄漏,减少对周边敏感电路的电磁干扰(EMI),同时也增强了对外部磁场的抗扰能力,确保在复杂PCB布局中的稳定运行。其小型化封装(3.0 x 2.5 x 1.0mm)非常适合空间受限的高密度主板设计,如智能手机、平板电脑和超薄笔记本等便携式电子产品。在动态负载条件下,该电感能够快速响应电流变化,维持输出电压的稳定性,因此特别适合用于Buck、Boost及Buck-Boost等多种开关电源拓扑结构。
  该电感器的工作温度范围宽达-55°C至+155°C,能够在极端环境温度下可靠工作,适用于工业控制、车载信息娱乐系统等严苛应用场景。同时,其无铅、符合RoHS指令的设计也满足现代电子产品对环保法规的要求。TDK在制造过程中实施严格的品质控制流程,确保每批次产品的一致性和长期可靠性。综合来看,VLF302510MT-2R2M是一款集高效、紧凑、稳定于一体的先进功率电感解决方案,适用于追求高性能与小型化的现代电源设计。

应用

移动通信设备中的电源模块
  笔记本电脑和超极本的CPU供电系统
  服务器和数据中心的POL(Point-of-Load)转换器
  FPGA和ASIC的辅助电源设计
  DC-DC降压(Buck)转换器输出滤波
  电池管理系统(BMS)中的能量存储单元
  工业自动化设备的开关电源
  消费类电子产品的LED驱动电源
  车载信息娱乐系统的低压电源管理

替代型号

VLS302510ET-2R2M
  SRP3025_2R2
  DFE302510P-2R2M

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VLF302510MT-2R2M参数

  • 标准包装1
  • 类别电感器,线圈,扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列VLF-MT
  • 电感2.2µH
  • 电流1.23A
  • 电流 - 饱和1.37A
  • 电流 - 温升1.5A
  • 类型-
  • 容差±20%
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻(DCR)最大 84 毫欧
  • Q因子@频率-
  • 频率 - 自谐振-
  • 材料 - 芯体-
  • 封装/外壳0.118" L x 0.098" W x 0.039" H(3.00mm x 2.50mm x 1.00mm)
  • 安装类型表面贴装
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 频率 - 测试1MHz
  • 其它名称445-6771-6