时间：2025/4/28 17:00:30
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R413602000 是一款由 Rohm 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用场合，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。其采用 DPAK 封装形式，适合表面贴装工艺。
型号：R413602000
类型：N沟道 MOSFET
封装：DPAK (TO-252)
最大漏源电压（Vds）：60 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：70 A
导通电阻（Rds(on)）：2.0 mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗（Ptot）：125 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
R413602000 采用先进的制造工艺，确保其具备以下特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力，可满足高频开关应用需求。
3. 高雪崩耐量能力，增强器件在异常条件下的可靠性。
4. 热稳定性良好，能够在高温环境下持续运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业要求。
R413602000 的低 Rds(on) 和高 Id 特性使其成为高效能电力电子应用的理想选择。
该 MOSFET 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管或高端开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业设备中涉及大电流控制的场景。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
R413602000 的高性能参数使得它在需要高效率和高可靠性的场合表现优异。
R413602000B, IRFZ44N, FDP5580, STP70NF06
