型号：VLF-120+
　　类型：低通滤波器
　　封装形式：表面贴装（SMT）
　　截止频率：120 MHz
　　通带频率：0 - 120 MHz
　　阻带频率：>140 MHz
　　插入损耗：≤1.5 dB（典型值，在通带内）
　　回波损耗：≥14 dB（典型值，0-120 MHz）
　　阻带抑制：≥30 dB（典型值，>140 MHz）
　　最大输入功率：+30 dBm（1 W）
　　连接方式：50 Ω 阻抗匹配
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +100°C
　　湿度等级：1（符合MSL 1）
　　封装尺寸：约 0.45 in × 0.22 in（11.4 mm × 5.6 mm）
　　重量：约 0.3 g

VLF-120+ 的核心特性之一是其优异的频率选择性，能够在120 MHz以下保持平坦的通带响应，同时对高于140 MHz的高频信号提供显著衰减。这种陡峭的过渡带设计使其非常适合用于多频段系统中的谐波抑制或杂散发射控制。其插入损耗低于1.5 dB，意味着信号通过时的能量损失极小，有助于维持系统的信噪比和整体链路预算。
　　另一个关键优势是出色的回波损耗表现，通常优于14 dB，表明该滤波器在50 Ω系统中具有良好的阻抗匹配能力，减少了因反射引起的驻波效应和信号失真。这对于高速数据传输路径或敏感接收前端尤为重要。此外，VLF-120+ 具备高达+30 dBm的最大输入功率承受能力，使其不仅适用于小信号处理场景，也可部署于中等功率发射链路中作为预滤波单元。
　　该器件采用全无源结构，不含任何有源半导体元件，因此无需外部电源供电，且不受偏置电路影响，简化了系统设计并提升了长期运行的可靠性。其工作温度范围宽达-55°C至+85°C，适应严苛环境下的工业与户外应用需求。封装方面使用陶瓷基板与金属屏蔽结构，提供良好的热稳定性和电磁屏蔽性能，防止外部干扰侵入滤波器内部电路。
　　VLF-120+ 还具备优异的抗老化特性和长期稳定性，经过高温存储和热循环测试验证，确保在长时间使用后仍能保持初始电气性能。其符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保制造流程。同时，器件支持自动拾取和放置（pick-and-place）设备进行装配，兼容标准SMT回流焊工艺，适合大规模批量生产。这些综合特性使VLF-120+ 成为高性能射频系统中理想的低通滤波解决方案。

VLF-120+ 被广泛应用于各类需要精确频率控制和干扰抑制的电子系统中。在无线通信领域，常被用于基站前端、收发信机模块以及软件定义无线电（SDR）平台中，作为模数转换器（ADC）前级的抗混叠滤波器或数模转换器（DAC）输出端的重建滤波器，以消除高频噪声和镜像频率成分。
　　在测试与测量仪器中，如频谱分析仪、网络分析仪和信号发生器，VLF-120+ 可用于信号调理路径，确保进入检测电路的信号纯净，避免高频杂散导致测量误差。此外，在工业控制系统、传感器接口电路和数据采集系统中，该滤波器可用于去除来自电源线或数字电路耦合进来的高频干扰，提高模拟信号采集精度。
　　在音频与视频处理设备中，尽管主要工作频率较低，但面对开关电源产生的高频噪声，VLF-120+ 同样可以发挥其宽带抑制能力，保障信号质量。同时，它也被用于医疗电子设备、航空航天电子系统以及军事通信装备中，满足高可靠性与电磁兼容性（EMC）设计要求。总之，凡是在DC至120 MHz范围内需要高质量低通滤波特性的应用场景，VLF-120+ 均可提供稳定有效的解决方案。

VLF-120
　　LFCN-120
　　HLP-120+