型号：VLB7050HT-R09M
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　封装类型：SOT-23-3
　　引脚数：3
　　输出电压：2.5 V ± 0.5%
　　初始精度：±0.5%
　　温度系数（Tempco）：20 ppm/°C（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　最大静态电流：1.2 mA（典型值）
　　最大输出电流：10 mA
　　线路调整率：0.02 %/V
　　负载调整率：15 mV/mA
　　长期稳定性：25 ppm/√kHr
　　输出噪声：8 μV_RMS（0.1 Hz 到 10 Hz）
　　带宽：10 Hz 到 10 kHz
　　保护功能：反向电压保护、过温保护
　　符合标准：RoHS、AEC-Q100

VLB7050HT-R09M的核心特性之一是其采用的埋入式齐纳（Buried Zener）基准技术，这种结构将齐纳击穿区域深置于硅衬底内部，有效避免了表面污染和迁移效应带来的电压漂移问题，从而显著提升了长期稳定性和抗老化能力。相较于传统的带隙基准或表面齐纳结构，埋入式齐纳能够实现更低的噪声水平和更高的精度保持能力。该器件在0.1 Hz到10 Hz频段内的典型输出噪声仅为8 μV RMS，非常适合用于高分辨率ADC或精密仪表放大器等对噪声敏感的应用场景。
　　另一个关键优势是其极佳的温度稳定性。VLB7050HT-R09M在整个-40°C至+125°C的工作温度范围内，温度系数典型值为20 ppm/°C，意味着在全温区内电压变化极小，保证了系统在极端环境下的测量准确性。同时，其初始电压精度高达±0.5%，无需外部校准即可满足大多数精密应用需求。此外，该器件具有出色的负载调整率（15 mV/mA）和线路调整率（0.02 %/V），即使在电源电压波动或负载电流变化的情况下，也能维持稳定的输出电压。
　　在功耗方面，VLB7050HT-R09M的最大静态电流仅为1.2 mA，使其适用于电池供电设备如便携式医疗仪器、无线传感器节点和手持测试设备。其SOT-23-3的小型封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴装，提升生产效率。器件内部集成了反向电压保护和过温保护机制，增强了系统鲁棒性。值得一提的是，该产品通过AEC-Q100汽车级认证，可在严苛的车载环境中可靠运行，适用于ADAS系统、车载传感器模块和车载信息娱乐系统的电压参考需求。

VLB7050HT-R09M广泛应用于需要高精度电压基准的各种电子系统中。在数据采集系统中，它常作为模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的参考电压源，确保转换结果的准确性和重复性，尤其适用于16位及以上分辨率的高精度ADC，例如在工业PLC、智能电表和过程控制系统中的使用。
　　在传感器信号调理电路中，由于各类传感器（如压力、温度、加速度传感器）输出信号微弱且易受电源波动影响，采用VLB7050HT-R09M作为激励源或放大器参考可大幅提升信噪比和测量精度。其低噪声和高稳定性特点使其成为医疗电子设备（如心电图机、血糖仪、便携式监护仪）的理想选择。
　　在便携式和电池供电设备中，该器件的低静态电流特性有助于延长电池寿命，适用于物联网终端节点、无线传感网络和移动测试仪器。此外，在自动测试设备（ATE）和精密电源管理系统中，VLB7050HT-R09M可用于提供稳定的基准电压以进行系统自校准或电压监测。
　　由于其通过AEC-Q100认证，该芯片也被广泛应用于汽车电子领域，包括车载摄像头模块、雷达系统、电池管理系统（BMS）和发动机控制单元（ECU）中的模拟前端电路。在通信设备中，可用于为锁相环（PLL）、频率合成器或射频收发器提供精确偏置电压。总之，任何需要稳定、低噪声、低温漂电压参考的场合均可考虑采用VLB7050HT-R09M。

MAX6325ASA+T
　　LM385-2.5/NOPB
　　REF5025AIDGKR
　　ADR4525BRZ