HY5DU56422ALF-M 是一款由海力士(Hynix)生产的高性能 DDR3 SDRAM 内存芯片,广泛应用于计算机、服务器和嵌入式系统中。该芯片采用先进的制造工艺,具备高带宽、低功耗的特点,能够满足现代电子设备对内存性能的严格要求。
该型号属于 DDR3L 系列,支持较低的工作电压(1.35V),同时向下兼容 1.5V 的工作环境。其设计符合 JEDEC 标准,并具有出色的稳定性和可靠性。
类型:DDR3 SDRAM
容量:4Gb (512MBx8)
组织方式:16 banks
速度:1600Mbps
工作电压:1.35V/1.5V
封装形式:BGA 78-ball
I/O 电压:1.5V
数据宽度:8位
刷新模式:自动刷新/CAS 延迟:7/8/10/11
温度范围:-40°C 至 +85°C
HY5DU56422ALF-M 具备以下显著特点:
1. 高速传输:支持高达 1600Mbps 的数据传输速率,满足高性能计算需求。
2. 低功耗设计:通过使用 1.35V 工作电压,有效降低能耗,适合移动和低功耗应用。
3. 稳定性:具备强大的错误检测与纠正功能,确保数据完整性。
4. 宽温支持:能够在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内正常工作。
5. 小型化封装:采用 BGA 78 球封装,节省 PCB 空间,适用于紧凑型设计。
6. 符合 JEDEC 标准:确保与主流平台的良好兼容性。
HY5DU56422ALF-M 主要应用于以下领域:
1. 台式机和笔记本电脑内存模块。
2. 工业控制设备中的数据存储与处理。
3. 通信设备如路由器、交换机等的缓存系统。
4. 嵌入式系统及消费类电子产品中的高性能内存需求。
5. 服务器和数据中心的扩展内存配置。
由于其低功耗特性和高稳定性,非常适合对续航时间和运行温度有较高要求的应用场景。
HY5DU284S8BFA-M, HY5DU284S8AF8-M