VJ13MC0300KBA 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频和高效率应用设计。该器件采用增强型常关(e-mode)GaN 技术,提供卓越的开关性能、低导通电阻以及出色的热管理特性。
其封装形式为表面贴装,适合自动化生产流程,广泛应用于电源转换、无线充电、电机驱动等领域。
型号:VJ13MC0300KBA
类型:GaN 功率晶体管
额定电压:650 V
额定电流:30 A
导通电阻:18 mΩ
栅极电荷:70 nC
最大工作温度:-40°C 至 +150°C
封装形式:TO-263-7
最小开关频率:5 MHz
VJ13MC0300KBA 的主要特性包括:
1. 采用先进的 GaN 技术,具有极低的导通电阻和极小的栅极电荷,从而显著降低开关损耗。
2. 提供更高的工作效率和功率密度,尤其在高频应用中表现优异。
3. 封装兼容性良好,能够轻松集成到现有的 PCB 设计中。
4. 支持高频率运行,适用于小型化和轻量化的电源解决方案。
5. 具有较高的可靠性和耐用性,满足工业级应用需求。
VJ13MC0300KBA 主要应用于以下领域:
1. 高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器
2. 无线充电设备
3. 消费类快充适配器
4. 工业电机驱动系统
5. 数据中心电源模块
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品
VJ13MC0200KBA
VJ13MC0400KBA
GXT30R180NE65A