时间：2025/5/30 17:39:10
阅读：23
VJ13MC0300KBA 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用增强型常关（e-mode）GaN 技术，提供卓越的开关性能、低导通电阻以及出色的热管理特性。
其封装形式为表面贴装，适合自动化生产流程，广泛应用于电源转换、无线充电、电机驱动等领域。
型号：VJ13MC0300KBA
类型：GaN 功率晶体管
额定电压：650 V
额定电流：30 A
导通电阻：18 mΩ
栅极电荷：70 nC
最大工作温度：-40°C 至 +150°C
封装形式：TO-263-7
最小开关频率：5 MHz
VJ13MC0300KBA 的主要特性包括：
1. 采用先进的 GaN 技术，具有极低的导通电阻和极小的栅极电荷，从而显著降低开关损耗。
2. 提供更高的工作效率和功率密度，尤其在高频应用中表现优异。
3. 封装兼容性良好，能够轻松集成到现有的 PCB 设计中。
4. 支持高频率运行，适用于小型化和轻量化的电源解决方案。
5. 具有较高的可靠性和耐用性，满足工业级应用需求。
VJ13MC0300KBA 主要应用于以下领域：
1. 高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器
2. 无线充电设备
3. 消费类快充适配器
4. 工业电机驱动系统
5. 数据中心电源模块
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品
VJ13MC0200KBA
VJ13MC0400KBA
GXT30R180NE65A
