VJ1210Y122JBFAT4X 是一款基于陶瓷介质制造的多层片式固定电容器,属于 C0G (NP0) 温度特性系列。该型号采用了 X7R 或 C0G 等高稳定性的陶瓷材料,具有体积小、性能稳定、高频特性优良等特点,广泛应用于各种电子设备中。
该电容器适用于需要高频率和低损耗的应用场景,同时具备良好的温度稳定性和耐电压能力。
封装:0805
容量:12pF
额定电压:50V
容差:±5%
温度系数:C0G/NP0
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:2.0mm x 1.25mm
介电常数:12
ESR:≤10mΩ
VJ1210Y122JBFAT4X 具有以下主要特性:
1. 高稳定性:采用 C0G 材料,确保其在宽温度范围内(-55°C 到 +125°C)保持极高的电容稳定性。
2. 小型化设计:使用标准 0805 封装,适合高密度电路板布局。
3. 低损耗:具备较低的等效串联电阻 (ESR),使其非常适合高频应用。
4. 耐高压:尽管电容量较小,但支持高达 50V 的直流工作电压。
5. 高可靠性:经过严格的质量控制流程,能够满足工业级甚至车规级要求。
6. 容差精度高:±5% 的容差保证了电路设计的一致性和可靠性。
VJ1210Y122JBFAT4X 在信号耦合、滤波、谐振以及高频通信领域表现尤为出色。
此型号的电容器适用于多种高频电子电路,包括但不限于:
1. 高频滤波器设计:在射频电路中,用作信号滤波以去除不必要的噪声或干扰。
2. 振荡器和信号发生器:作为关键元件参与产生稳定的时钟信号。
3. 无线通信模块:用于匹配网络、天线调谐及信号增强。
4. 音频设备:音频放大器中的高频补偿和耦合。
5. 数据转换器缓冲:帮助稳定模数转换器(ADC/DAC)中的参考电压。
VJ1210Y122JBFAT4X 的优异特性和可靠性使其成为许多高端电子产品的理想选择。
VJ1210Y122JB, VJ1210Y122KC, Kemet C0G1210C120J5G