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SKT513F14DT 发布时间 时间:2025/8/22 20:48:41 查看 阅读:11

SKT513F14DT是一款由三星(Samsung)生产的功率晶体管模块,主要用于需要高功率处理能力的工业和电力电子应用中。该模块集成了多个功率MOSFET器件,具有较高的集成度和可靠性,适用于逆变器、电源转换系统、电机驱动器等应用。该模块采用双列直插式封装(DIP),便于安装和散热。

参数

类型:功率晶体管模块
  晶体管类型:MOSFET
  封装类型:双列直插式(DIP)
  最大漏极电流(ID):130A
  最大漏源电压(VDS):600V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.14Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  引脚数:7
  功率耗散(PD):300W
  栅极电压(VGS):±20V

特性

SKT513F14DT具备多项优异性能,适用于高功率密度和高效率的电源系统设计。
  首先,该模块采用了先进的MOSFET技术,具有较低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关特性,从而减少了导通损耗和开关损耗,提高了整体能效。其最大漏极电流可达130A,漏源电压额定为600V,能够胜任高电压和大电流的工作条件。
  其次,该模块采用7引脚双列直插式封装,便于PCB布局和焊接,同时提高了模块的机械稳定性和散热性能。封装结构中集成了多个MOSFET芯片,提高了系统的集成度,减少了外部元件的数量,从而简化了设计和制造流程。
  此外,SKT513F14DT具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高温度环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围为±20V,兼容多种常见的驱动电路,便于与控制电路集成。模块还具备较强的抗干扰能力,适合在工业环境中使用。
  最后,该模块通过了多项国际标准认证,确保其在各种应用中的可靠性和安全性。其设计考虑了EMI(电磁干扰)控制,有助于减少高频开关过程中产生的电磁辐射,提高系统的电磁兼容性。

应用

SKT513F14DT广泛应用于需要高功率转换效率和稳定性的电子系统中。
  主要应用领域包括工业电源系统、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机、感应加热设备以及各类高功率开关电源。在这些应用中,SKT513F14DT可以作为主开关元件,实现高效的能量转换和控制。
  例如,在电机驱动系统中,该模块可以用于构建三相逆变桥,将直流电源转换为交流电源以驱动感应电机或永磁同步电机,广泛应用于工业自动化设备和电动汽车驱动系统中。在不间断电源系统中,SKT513F14DT可用于DC-AC逆变电路,将电池或直流母线电压转换为稳定的交流输出,确保在电网故障时仍能为关键设备供电。
  此外,该模块也适用于太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换环节,帮助实现绿色能源的高效利用。由于其优异的热性能和可靠性,SKT513F14DT在高负载和恶劣环境条件下依然表现出色,是工业级电源应用的理想选择。

替代型号

SKT513F14, SKT513F14S, SKT513F14L, IXFN130N60P, STP120N6F60Z

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