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VJ0805A101KXEMP 发布时间 时间:2025/6/4 8:38:38 查看 阅读:7

VJ0805A101KXEMP 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件专为高频、高效能应用而设计,具有出色的射频性能和低导通电阻。其结构允许在高频下实现高功率增益和高效率,适用于通信、雷达和其他射频系统。
  这款 GaN HEMT 晶体管由知名半导体制造商提供,广泛应用于军事、航空航天以及商业领域的射频功率放大器设计中。

参数

型号:VJ0805A101KXEMP
  类型:GaN HEMT
  封装:陶瓷气密封装
  工作电压:100 V
  最大输出功率:40 W
  频率范围:DC 至 6 GHz
  增益:大于 12 dB
  导通电阻:小于 0.1 Ω
  结电容:小于 1 pF

特性

VJ0805A101KXEMP 的主要特性包括高击穿电压、低导通电阻、高电流密度和优异的热性能。由于采用了先进的 GaN 工艺,该晶体管能够在高频和高功率条件下保持高效的运行状态。
  此外,其极低的寄生电容和快速开关能力使其非常适合于宽带和高频应用。同时,器件内部集成保护电路,增强了其可靠性和抗浪涌能力。
  它还具备良好的线性度和稳定性,确保在不同温度和负载条件下的高性能表现。与传统硅基晶体管相比,GaN 技术显著提升了效率并减小了体积和重量,从而优化了整体系统设计。

应用

VJ0805A101KXEMP 广泛用于射频功率放大器的设计,特别是在需要高效率和高增益的应用场景中。具体应用场景包括:
  - 军事通信设备中的功率放大模块
  - 航空航天领域的卫星通信系统
  - 商业无线基础设施如蜂窝基站的射频前端
  - 雷达系统中的发射机部分
  - 医疗成像设备中的高频信号生成单元
  由于其宽广的频率覆盖范围和高输出功率能力,这款晶体管可以满足多种复杂环境下的需求。

替代型号

VJ0805A103KXEMP
  VJ0805A102KXEMP

VJ0805A101KXEMP参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.79395卷带(TR)
  • 系列VJ Hi-Rel
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-