TSP140SC是一款由Toshiba(东芝)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率开关应用,如电源转换器、DC-DC变换器、马达驱动器等。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻、高效率和高耐压能力,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。TSP140SC采用TO-252(DPAK)封装形式,适合表面贴装工艺,广泛应用于各种中小型功率电子设备中。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):150V
漏极-源极导通电阻(Rds(on)):0.14Ω @ Vgs=10V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):14A @ Tc=25℃
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
封装:TO-252 (DPAK)
TSP140SC具备多项优异的电气和热性能特性,适用于高频率、高效率的开关电源系统。其主要特性包括低导通电阻、高开关速度、优良的热稳定性以及高耐用性。
首先,该器件的导通电阻Rds(on)仅为0.14Ω,这有助于降低导通损耗,提高能效。在高电流工作状态下,低Rds(on)可以显著减少发热,提升系统的稳定性和可靠性。
其次,TSP140SC具备快速开关能力,开关时间短,能够适应高频开关操作。这对于DC-DC转换器、同步整流器等应用尤为重要,有助于提高转换效率并减小外围电路的尺寸。
此外,该MOSFET具有高耐压能力,最大漏极-源极电压(Vds)可达150V,使其适用于多种中高压应用场景。同时,其栅极驱动电压范围宽,可在+10V至+20V之间工作,增强了与不同驱动电路的兼容性。
在封装方面,TSP140SC采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,适合表面贴装工艺,便于自动化生产和高效散热设计。该封装形式也具备较高的机械强度和耐热性,能够在较高环境温度下稳定工作。
综上所述,TSP140SC是一款性能优异、适用范围广泛的功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高开关速度和良好热管理能力,成为众多高效率功率转换系统中的理想选择。
TSP140SC广泛应用于各种功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器、马达控制器、电池管理系统(BMS)、光伏逆变器、UPS不间断电源系统以及各种需要高效率、高频率开关操作的工业控制设备。其优异的电气性能和可靠的封装结构使其在高温、高负载环境下仍能稳定运行,满足多种工业和消费类电子产品的设计需求。
TK15A50D, FDP15N50, IRFZ44N, FQP13N50, STP16NF50