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VJ0402D3R0DXXAP 发布时间 时间:2025/7/4 1:07:26 查看 阅读:10

VJ0402D3R0DXXAP 是一款由村田制作所(Murata)生产的片式多层陶瓷电容器(MLCC),属于GRM系列,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。该型号采用超低ESL设计,具有高可靠性和出色的频率特性,适用于电源去耦、信号滤波以及高频电路中的噪声抑制等场景。
  该电容器具备小型化和高容量的特点,同时符合RoHS标准,适合表面贴装工艺(SMD)。其端电极采用镀锡处理,能够确保良好的焊接性能和长期稳定性。

参数

容值:0.033μF
  额定电压:6.3V
  封装尺寸:0402英寸(1.0mm x 0.5mm)
  公差:±20%(M级)
  温度特性:X7R
  直流偏压特性:有
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  电气寿命:1000小时(在额定电压和125℃条件下)

特性

VJ0402D3R0DXXAP 使用X7R介质材料制造,这种介质能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值变化率(从-55℃到+125℃,电容值变化不超过±15%)。此外,该型号还采用了多层结构设计,可以有效降低寄生电感(ESL),从而提高高频下的性能表现。
  由于其小型化设计和卓越的可靠性,VJ0402D3R0DXXAP 在紧凑型电路板中表现出色,特别适合对空间要求严格的应用场合。同时,它还具有较低的ESR(等效串联电阻),有助于减少热损耗并改善整体效率。
  值得注意的是,这款电容器存在直流偏压效应,即随着施加直流电压的增加,实际有效电容值可能会有所下降。因此,在使用时需要根据具体应用场景考虑这一因素,并适当留出裕量。

应用

VJ0402D3R0DXXAP 主要用于以下领域:
  1. 消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、智能手表等;
  2. 通信设备,包括基站、路由器、交换机等;
  3. 工业自动化系统中的信号调理与滤波;
  4. 高频电路中的电源去耦和噪声抑制;
  5. 射频模块中的匹配网络和滤波器组件;
  6. 数据存储设备中的电源管理单元。

替代型号

C0402X7R1E333K120AA, Kemet C0805X7R1E333K552, Taiyo Yuden TMK312BJ333KM-T
  

VJ0402D3R0DXXAP参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列VJ HIFREQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.040" 长 x 0.020" 宽(1.02mm x 0.51mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.61mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-