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VJ0402D130FLAAP 发布时间 时间:2025/6/3 23:48:01 查看 阅读:5

VJ0402D130FLAAP 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效提升系统的效率与可靠性。
  该型号属于 Vishay 公司旗下的 MOSFET 系列产品,适用于工业控制、消费电子以及通信设备等多种领域。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  漏源极电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):45A
  栅极电荷(Qg):45nC
  导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ
  工作温度范围:-55°C to +175°C
  封装形式:TO-263-3
  最大功耗:190W

特性

VJ0402D130FLAAP 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下保持稳定的电气性能。
  4. 提供出色的雪崩能力,增强了在异常情况下的耐受性。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保设计。
  6. 可靠的封装结构,具备优秀的机械强度和散热能力。

应用

这款 MOSFET 芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 工业设备中的负载切换和电机控制。
  3. 消费类电子产品中的电源管理和电池充电电路。
  4. 电信设备中的高效能电源解决方案。
  5. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动车驱动系统。
  VJ0402D130FLAAP 凭借其卓越的性能表现,在这些应用场景中提供了可靠的保障。

替代型号

VJ0402D130FLA,VJ0402D130FL

VJ0402D130FLAAP参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列VJ HIFREQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容13 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.040" 长 x 0.020" 宽(1.02mm x 0.51mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.61mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-