时间：2025/6/26 19:25:45
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VHR-11N是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频应用中提供高效的功率转换。
型号：VHR-11N
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻：3.5mΩ
总栅极电荷：27nC
开关时间：开启延迟时间：15ns，上升时间：9ns，关断延迟时间：48ns，下降时间：22ns
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃至150VHR-11N具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），能够减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适用于高频开关电路，如DC-DC转换器和PWM控制器。
3. 高电流承载能力（连续漏极电流18A），适合大功率应用。
4. 较小的栅极电荷（27nC），可以降低驱动功耗并提高效率。
5. 宽工作温度范围（-55℃至150℃），适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
VHR-11N适用于多种电子电路和系统：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 负载切换和保护电路。
5. 各种高频功率转换应用。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
VHR-11P, IRFZ44N, FDP15N10
