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G02P06 发布时间 时间:2025/5/20 9:10:16 查看 阅读:8

G02P06是一款高性能的功率二极管,广泛应用于开关电源、电机驱动以及逆变器等场景。该器件采用先进的制造工艺,在反向恢复时间、正向压降和热稳定性方面表现优异,能够满足高效率和高可靠性的设计需求。
  此型号通常用于处理大电流和高电压的应用场合,具备良好的浪涌电流能力,有助于保护电路免受瞬态电压的影响。

参数

最大 repetitive peak reverse voltage:600V
  最大 average rectified output current:2A
  最大 non-repetitive peak surge current:36A
  正向电压(@If=2A):1.1V
  反向恢复时间(典型值):50ns
  结电容:约20pF
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

G02P06具有低正向压降的特点,从而减少了导通损耗并提高了整体系统效率。
  其快速的反向恢复时间和低结电容使其非常适合高频开关应用。
  此外,该器件具备出色的浪涌电流承受能力,能够在恶劣环境下保持稳定运行。
  G02P06还采用了紧凑型封装设计,便于安装和散热管理,同时提升了空间利用率。

应用

G02P06常用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的整流与保护功能。
  2. 电机驱动电路,用于防止反电动势损坏其他元器件。
  3. 太阳能逆变器及风能转换系统中的关键组件。
  4. 汽车电子领域,如车载充电器和DC-DC转换器。
  5. 各类工业控制设备中的电源模块部分。

替代型号

MUR160
  GBU8S06
  1N5822

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G02P06参数

  • 现有数量6,940现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.75127卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.6A
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)190毫欧 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)573 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.5W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3