VHF28-10IO5 是一款高频功率MOSFET晶体管,通常用于射频(RF)和高频电子应用中。这款器件基于先进的垂直场效应晶体管技术,具备高效能和高可靠性的特点,适合用于高频放大器、射频电源和其他需要高频率响应的电路中。VHF28-10IO5 设计用于在28V工作电压下运行,具有较高的功率输出能力,同时保持良好的热稳定性和低损耗特性。
类型:功率MOSFET
工作电压:28V
最大漏极电流:10A
工作频率:高达175MHz
输出功率:约250W(在175MHz时)
封装形式:TO-247
栅极驱动电压:10V
工作温度范围:-55°C至+150°C
VHF28-10IO5 具备多项优异的电气和热性能特性。其高工作频率特性使其适用于高频放大器和射频应用,特别是在HF和VHF频段。该器件的漏极电流能力高达10A,同时支持高达28V的工作电压,提供了较大的功率输出能力。在175MHz的频率下,VHF28-10IO5 可以提供约250W的输出功率,这使其成为高功率射频放大器设计中的重要选择。此外,该器件的栅极驱动电压为10V,确保了快速和高效的开关性能。采用TO-247封装形式,VHF28-10IO5 不仅具有良好的散热能力,还易于集成到现有的电路设计中。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,确保其在极端环境条件下依然保持稳定运行。这种MOSFET还具备较低的导通电阻(Rds(on))和良好的热稳定性,有助于降低功耗和提高系统效率。最后,VHF28-10IO5 的设计优化了高频应用中的线性度和稳定性,从而减少失真并提高信号质量。
VHF28-10IO5 常用于需要高频功率放大的场合,例如业余无线电(HAM Radio)设备、商业广播发射机、射频加热设备以及工业测试和测量仪器。由于其高输出功率和高频率响应特性,该器件在HF/VHF频段的线性放大器设计中非常受欢迎。在通信领域,VHF28-10IO5 被广泛用于构建高功率射频放大器,以增强发射信号的强度和传输距离。此外,它还适用于音频放大器设计中的高频段处理部分,以及需要高效功率转换的射频电源系统。在科研和工程领域,该器件也常用于实验性高频电路和原型设计中。
RD12HVF1, RD12HHF1, BLF177