型号：VGSX10KI03118QB
　　制造商：Vishay Siliconix
　　封装类型：DFN1006-2 (1006 封装，即 1.0 mm × 0.6 mm)
　　通道数：1 通道（单路双向）
　　工作电压（VRWM）：10 V
　　击穿电压（VBR）：11.1 V（最小值）
　　最大钳位电压（VC @ IPP）：17 V（典型值）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.5 A（8/20 μs 波形）
　　结电容（Cj）：0.25 pF（典型值，f = 1 MHz, V = 0 V）
　　漏电流（IR）：≤ 1 μA（最大值，VR = 10 V）
　　ESD 耐压（IEC 61000-4-2）：±15 kV（接触和空气放电）
　　反向工作峰值电压（VRWM）：10 V
　　极性：双向
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

VGSX10KI03118QB 具备卓越的静电放电（ESD）防护能力，能够承受高达 ±15 kV 的 IEC 61000-4-2 接触和空气放电冲击，这使得它在恶劣电磁环境下的可靠性极高。其内部结构采用高性能硅雪崩二极管技术，能够在纳秒级时间内响应瞬态过压事件，并通过低动态阻抗将能量迅速泄放到地，有效限制输出端电压上升幅度，防止后级 IC 输入级被击穿或闩锁。该器件的关键优势之一是其极低的寄生电容，典型值仅为 0.25 pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入信号衰减、失真或串扰，因此特别适合应用于现代高速数字接口，例如 USB Type-C、高速 HDMI 和 MIPI D-PHY 等差分对线路保护。此外，由于其双向导通特性，无需考虑信号极性，简化了电路设计与布局布线过程。
　　另一个显著特点是其微型 DFN1006-2 封装形式，体积小巧，占用 PCB 面积极小，有助于实现电子产品的小型化与轻薄化趋势。该封装还具有良好的热传导性能，结合低功耗特性，可在长时间运行中保持稳定工作状态。器件的漏电流非常低（≤1 μA），即使在待机或低功耗模式下也不会对系统造成额外负担，有利于延长电池供电设备的续航时间。同时，该产品符合 AEC-Q101 汽车级可靠性标准，具备出色的耐湿性和抗机械应力能力，适用于车载信息娱乐系统、摄像头模块和传感器接口等严苛应用场合。所有材料均符合 RoHS 与无卤素规范，支持环保制造流程。

VGSX10KI03118QB 广泛应用于需要高密度集成与高速信号完整性的消费类电子产品中，尤其适用于各类便携式移动设备的数据端口 ESD 保护。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的 USB 2.0/3.0、Micro-USB、USB Type-C 接口的 D+ 和 D- 数据线保护；高清音视频接口如 HDMI、DisplayPort 的 TMDS 差分通道防护；以及相机模组与主处理器之间的 MIPI CSI-2 高速串行链路保护。在可穿戴设备如智能手表和无线耳机中，由于空间极其有限，该器件的小尺寸优势尤为突出，可用于保护触摸屏控制器、传感器信号线和无线通信模块（如蓝牙、Wi-Fi）的射频前端接口。
　　此外，该器件也适用于工业控制领域的精密测量仪器、数据采集系统和通信接口（如 RS-485、CAN 总线辅助信号线）的瞬态抑制需求。在汽车电子方面，可用于车载导航系统、倒车影像摄像头、车内娱乐系统的高速信号线路防静电设计。由于其宽工作温度范围和高可靠性，也可部署于户外监控设备、智能家居网关和物联网节点等长期暴露于复杂电磁环境中的设备中，确保信号传输稳定性与系统长期运行安全性。

VGSX10MI03118QB
　　SMF10AT1G
　　RCLAMP0524P