时间：2025/8/5 17:21:21
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VGF0136AH 是一款由 Vishay（威世科技）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率、高频率应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及电池供电设备等领域。VGF0136AH 采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。该 MOSFET 通常采用 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能和机械强度。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：80 A
漏极-源极电压（VDS）：30 V
栅极-源极电压（VGS）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：0.0136 Ω（典型值）
功耗（PD）：125 W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
VGF0136AH MOSFET 具有极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。其导通电阻仅为 0.0136 Ω，这意味着即使在大电流下，器件的压降也非常小，从而减少了热量的产生，提高了系统的可靠性和稳定性。
此外，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通和开关性能。VGF0136AH 在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗，适用于需要快速开关的电源转换器和逆变器电路。
VGF0136AH 的 TO-252 封装提供了良好的热管理性能，确保在高功率密度设计中仍能保持较低的工作温度。这种封装形式也便于 PCB 布局和散热器安装，适用于自动化生产线的表面贴装技术（SMT）。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20 V，提供了更高的设计灵活性，同时具有较高的抗静电能力和过载保护能力，能够在严苛的工业环境中稳定运行。
由于其出色的电气和热性能，VGF0136AH 非常适合用于高性能电源管理系统，如服务器电源、电信设备、电动工具、电动车控制器以及太阳能逆变器等应用。
VGF0136AH MOSFET 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括：
? 高效率 DC-DC 转换器和稳压器
? 电机驱动和控制电路
? 电池管理系统（BMS）
? 电动工具和电动车控制器
? 太阳能逆变器和储能系统
? 工业自动化设备和伺服驱动器
? 计算机和服务器电源
? 高功率 LED 照明系统
SiHF0136-E3, FDS6680, IRF1324S-7PPBF
