类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：12A
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

VFB200 MOSFET 拥有卓越的电气性能和耐用性。其低导通电阻特性显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件支持高达200V的漏源电压，适用于多种中高功率应用。VFB200 的 TO-220 封装不仅提供良好的散热能力，还便于安装在散热片上，确保在高温环境下稳定运行。
　　这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，优化了其开关性能，使其在高频应用中表现出色。此外，VFB200 的栅极设计确保了稳定的栅源电压控制，并具备较强的抗干扰能力，避免因电压波动导致的误操作。其高可靠性也使其适用于工业级应用环境，例如不间断电源（UPS）、电动工具和功率因数校正（PFC）电路等。
　　VFB200 还具有过热保护功能，当工作温度超过安全范围时，设备会自动关闭，防止损坏。此外，其封装设计符合 RoHS 环保标准，不含铅等有害物质，适用于环保要求较高的电子产品设计。

VFB200 主要用于高功率电子系统中，例如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、逆变器和工业自动化设备。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统。VFB200 还可用于开关电源（SMPS）、LED 照明驱动器以及功率因数校正（PFC）模块，满足现代电子设备对节能和高效能的需求。

IRF540N, STP12NM50N, FDPF20N20