FMA65N15T2 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高电流和高效率的应用设计,适用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制以及电源管理系统。FMA65N15T2 具有低导通电阻、高耐压和高电流能力的特点,能够在高温环境下稳定工作,是一款性能可靠且广泛应用的功率 MOSFET。
类型:N 沟道 MOSFET
漏极电流 (Id):65A
漏极-源极电压 (Vds):150V
栅极-源极电压 (Vgs):±20V
导通电阻 (Rds(on)):约 0.022Ω(典型值)
功率耗散 (Pd):160W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263(D2Pak)
FMA65N15T2 具有以下显著特性:首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流应用中较低的功率损耗,从而提高了系统的整体效率。其次,该器件的漏极-源极电压额定值为 150V,能够承受较高的电压应力,适用于多种中高功率应用场景。此外,FMA65N15T2 采用了先进的平面工艺技术,提高了器件的可靠性和耐用性。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-263(D2Pak),是一种表面贴装封装,具有良好的热性能,有助于快速散热,适用于高密度 PCB 设计。FMA65N15T2 还具有高雪崩能量耐受能力,能够有效应对突发的电压冲击,从而提高系统的稳定性和安全性。
在温度特性方面,FMA65N15T2 支持宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适合在极端温度环境下运行,如工业控制、汽车电子等领域。其栅极驱动电压范围较宽,通常在 4.5V 至 20V 之间,支持与多种驱动电路兼容,提高了设计的灵活性。
FMA65N15T2 主要用于需要高电流和高效率的功率电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电源管理系统、工业自动化设备、UPS(不间断电源)以及太阳能逆变器等。由于其优异的导通特性和高耐压能力,该器件也广泛应用于电动车、电池管理系统(BMS)及充电器设计中。
在电机控制领域,FMA65N15T2 可用于 H 桥驱动电路,实现对直流电机或步进电机的方向和速度控制。在电源管理方面,该 MOSFET 常被用作负载开关或高频开关元件,以提升电源转换效率。此外,它还可用于 LED 照明驱动器、电焊机、电动工具等高功率设备中,满足高可靠性和高稳定性的设计需求。
IRF1405, FDP6675, FDS6675, FDP6630, FDP6640