您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > VEC2602-TL-E

VEC2602-TL-E 发布时间 时间:2025/9/21 10:19:38 查看 阅读:60

VEC2602-TL-E是一款由VIA Technologies(威盛电子)推出的高性能、低功耗HDMI中继器芯片,专为延长HDMI信号传输距离、提升信号完整性而设计。该芯片广泛应用于高清视频传输系统中,适用于需要长距离稳定传输1080p或4K分辨率视频信号的场景。VEC2602-TL-E支持HDMI 1.4b标准,兼容高达3.4 Gbps的TMDS数据速率,能够有效补偿由于电缆损耗、连接器阻抗不匹配等因素引起的信号衰减。该器件集成了自适应均衡技术,可自动检测输入信号质量并动态调整接收端的增益和频率响应,从而确保在不同长度和质量的HDMI线缆上都能实现稳定可靠的信号再生与转发。芯片采用小型化QFN封装,便于集成到紧凑型PCB设计中,适用于机顶盒、显示器、投影仪、数字标牌、家庭影院系统等消费类电子产品。此外,VEC2602-TL-E具备低电磁干扰(EMI)设计,符合RoHS环保要求,并支持热插拔检测和DDC通道透明传输,保证与现有HDMI设备的良好兼容性。

参数

型号:VEC2602-TL-E
  制造商:VIA Technologies
  接口标准:HDMI 1.4b
  最大带宽:3.4 Gbps
  支持分辨率:最高4K×2K @ 30Hz, 1080p @ 60Hz
  工作电压:3.3V ±10%
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:QFN
  通道数:3通道TMDS数据+1通道TMDS时钟
  均衡功能:自适应输入均衡
  输出驱动能力:可编程预加重
  DDC通道:支持I2C直通
  HDCP支持:透明传输(不处理HDCP密钥)
  应用领域:HDMI中继器、信号延长器、分配器、矩阵切换器

特性

VEC2602-TL-E的核心特性之一是其先进的自适应均衡技术,能够在不同长度和质量的HDMI线缆输入条件下,自动调节接收端的高频增益和低频补偿,有效消除码间干扰(ISI),恢复眼图清晰度,从而显著提升系统的误码率性能。该芯片内部集成了高精度的时钟数据恢复电路(CDR),可在没有外部参考时钟的情况下完成数据重定时,确保输出信号具有优良的抖动性能。此外,VEC2602-TL-E提供可编程的输出预加重功能,允许设计者根据后端负载情况优化输出信号的上升/下降沿特性,进一步增强信号在长距离传输中的抗衰减能力。
  该器件还具备智能电源管理模式,在无信号输入或待机状态下可自动进入低功耗模式,有助于降低系统整体能耗,满足绿色节能要求。芯片对HDMI协议层保持高度透明,支持所有辅助数据包如音频、CEC控制信号和EDID读取操作的无缝通过,不会中断源设备与显示终端之间的通信。其内置的热插拔检测(HPD)逻辑支持即插即用功能,确保系统能够及时响应设备连接状态变化。为了提高系统可靠性,VEC2602-TL-E集成了过压保护和ESD防护电路,可承受±8kV接触放电,增强了在复杂电磁环境下的稳定性。整体设计兼顾了高性能、高可靠性和易用性,适合用于构建工业级和消费级HDMI信号扩展解决方案。

应用

VEC2602-TL-E主要应用于需要延长HDMI信号传输距离的各种场景,常见于HDMI中继器模块、多路信号分配器、视频矩阵切换系统以及KVM延长设备中。在大型会议室、多媒体教室、监控中心、数字广告牌和家庭影院布线系统中,当HDMI线缆超过5米时,原始信号往往因高频衰减而出现画面闪烁、色彩失真甚至无法识别的问题,此时使用VEC2602-TL-E可以有效重建信号完整性,支持长达15米甚至更远的被动线缆传输。该芯片也常被集成于主动式HDMI线缆或转接头中,作为信号增强单元提升产品性能。此外,在工业自动化视觉系统和医疗影像显示设备中,VEC2602-TL-E因其高稳定性和宽温工作能力,成为保障关键视频链路可靠运行的重要组件。其小尺寸封装和简单的外围电路需求,使其非常适合空间受限的应用场合,如超薄显示器内部或嵌入式主板上的信号调理电路。

替代型号

ITE6615FN
  SiI9290CTU
  TiS65DP159

VEC2602-TL-E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

VEC2602-TL-E参数

  • 典型关断延迟时间37(N 通道)ns,53(P 通道)ns
  • 典型接通延迟时间11(N 通道)ns, 11(P 通道)ns
  • 典型栅极电荷@Vgs11 nC @ -10 V(P 沟道),8.5 nC @ 10 V(N 沟道)
  • 典型输入电容值@Vds370 pF @10 V(N 沟道),510 pF @-10 V(P 沟道)
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度2.3mm
  • 封装类型VEC 8
  • 尺寸2.9 x 2.3 x 0.75mm
  • 引脚数目8
  • 最大功率耗散1 W
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压30(N 通道)V,-30(P 通道)V
  • 最大漏源电阻值168(P 通道)mΩ,99(N 通道)mΩ
  • 最大连续漏极电流-3(P 通道)A,4(N 通道)A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目2
  • 类别通用
  • 通道模式增强
  • 通道类型N,P
  • 配置双、双漏极
  • 长度2.9mm
  • 高度0.75mm