型号：VEC2402-TL-E
　　制造商：Diodes Incorporated
　　通道数：2
　　电源电压范围（单电源）：1.8V 至 5.5V
　　电源电压范围（双电源）：±0.9V 至 ±2.75V
　　增益带宽积（GBW）：2.4 MHz
　　压摆率（Slew Rate）：1.2 V/μs
　　输入偏置电流：1 pA（典型值）
　　输入失调电压：±1.5 mV（最大值）
　　失调电压温漂：±3 μV/°C
　　噪声电压（1kHz）：28 nV/√Hz
　　共模抑制比（CMRR）：90 dB
　　电源抑制比（PSRR）：90 dB
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　关断功能：无
　　封装类型：SOT-23-6L
　　每通道静态电流：60 μA（典型值）
　　输出电流能力：±40 mA
　　轨到轨输入/输出：是

VEC2402-TL-E采用高性能CMOS输入级设计，具备极低的输入偏置电流（典型值仅为1 pA），这使其特别适用于高阻抗信号源的应用场景，例如光电二极管放大、pH传感器接口或电容式传感器读取电路。其输入级支持轨到轨操作，能够充分利用整个输入电压范围，显著提升动态范围和测量精度。该器件的增益带宽积达到2.4 MHz，在低功耗条件下仍能提供足够的频率响应能力，满足大多数中频信号调理需求。压摆率为1.2 V/μs，能够在保持低功耗的同时实现快速信号响应，避免大信号失真。每通道仅消耗约60 μA的静态电流，整体功耗极低，非常适合对电池寿命要求严苛的可穿戴设备、无线传感器节点和便携式医疗仪器。
　　该运放具备优秀的直流精度指标，输入失调电压最大为±1.5 mV，并且具有较低的温漂特性（±3 μV/°C），确保在宽温度范围内保持稳定的偏置点，减少因温度变化引起的测量误差。其电压噪声密度在1 kHz时为28 nV/√Hz，结合低电流噪声表现，使得整体信噪比优异，适合用于微弱信号放大场合。VEC2402-TL-E的输出级同样支持轨到轨摆幅，能够在接近电源轨的范围内驱动负载，最大化输出动态范围，尤其有利于低电压系统中提高信号幅度利用率。共模抑制比和电源抑制比均高达90 dB，有效抑制输入端共模干扰和电源波动带来的影响，增强系统鲁棒性。
　　该器件在设计上具备良好的稳定性，单位增益稳定，允许用户在电压跟随器等低增益配置下安全使用而无需额外补偿。它还具备强大的输出驱动能力，可提供±40 mA的输出电流，足以直接驱动轻载或中等负载的模拟电路或ADC前端。工作温度范围覆盖-40°C至+125°C，适用于工业级环境下的可靠运行。SOT-23-6L小型封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴装，有助于降低生产成本。整体而言，VEC2402-TL-E在性能、功耗、尺寸和成本之间实现了良好平衡，是一款高度集成且易于使用的通用型运算放大器解决方案。

VEC2402-TL-E广泛应用于需要低功耗、小尺寸和高精度信号调理的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和智能手表中的传感器信号放大与滤波；工业自动化领域中的压力、温度、湿度等传感器接口电路；医疗健康设备如血糖仪、脉搏血氧计和心电图前端放大模块；电池供电的无线传感网络节点中的模拟前端处理；以及各类数据采集系统中的信号调理单元。由于其轨到轨输入输出特性和宽电源电压适应能力，它也常被用于单电源3.3V或5V系统的有源滤波器、电压跟随器、加法器、差分放大器和比较器电路中。此外，该器件还可用于音频信号的前置放大、DAC输出缓冲、电机控制反馈环路和电源监控电路中，作为精密放大元件提升系统整体性能。其高输入阻抗和低偏置电流特性使其成为光电探测器、离子敏感场效应晶体管（ISFET）和高阻值电阻桥式传感器的理想匹配器件。在测试与测量仪器中，VEC2402-TL-E可用于构建高精度、低漂移的放大电路，确保长时间运行下的测量一致性。得益于其工业级温度范围和可靠性，该器件也能胜任恶劣环境下的嵌入式控制系统任务。

AP2402SA-7
　　MAX44260AUT+T
　　LMV358IDGKR