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VDI160-12P1 发布时间 时间:2025/8/5 14:44:30 查看 阅读:88

VDI160-12P1 是一款功率半导体模块,通常用于高功率电力电子应用,如工业电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)以及可再生能源系统。该模块集成了多个功率半导体器件(如IGBT或MOSFET)以及反并联二极管,具有高集成度、低导通压降和优良的热管理性能。

参数

类型:功率模块
  额定电压:1200V
  额定电流:160A
  封装形式:P1型
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  热阻(Rth):典型值 0.35 K/W
  短路耐受能力:5μs @ 125°C
  隔离电压:2500V AC(1分钟)

特性

VDI160-12P1 模块采用先进的封装技术,具有良好的电气隔离和热传导性能,能够在高功率密度和高温环境下稳定运行。
  其设计优化了导通损耗和开关损耗,适用于高频开关应用,提高系统效率。
  该模块内部集成了多个功率器件,构成三相逆变桥或整流桥结构,减少了外部电路连接的复杂性,提高了系统的可靠性和维护性。
  模块的P1封装形式便于安装和散热管理,广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、UPS系统等场合。
  此外,VDI160-12P1 还具备较强的短路耐受能力,可在异常工况下提供一定的保护时间,提升系统的安全性和稳定性。

应用

VDI160-12P1 主要用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中,例如:
  工业电机驱动与变频器
  伺服控制系统
  不间断电源(UPS)
  太阳能逆变器
  电能质量调节设备
  电动汽车充电模块
  储能系统功率变换装置

替代型号

Vincotech V23990-P1282-E120-PM
  Infineon FS150R12W1T7_B11
  Siemens SIKI61K12160AG
  Mitsubishi M753B2655
  STMicroelectronics STGF150K120HD

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VDI160-12P1参数

  • 标准包装25
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.5V @ 15V,160A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)169A
  • 电流 - 集电极截止(最大)6mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)6.5nF @ 25V
  • 功率 - 最大694W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳ECO-PAC2
  • 供应商设备封装ECO-PAC2