时间：2025/12/24 18:33:21
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VCT49XYFPYC7 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高频率开关应用，具备低导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理系统。VCT49XYFPYC7 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在低电压应用中具有出色的性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：100A
漏源电压 (Vds)：30V
栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：最大 2.7mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗 (Pd)：120W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerPAK SO-8 双散热片封装
VCT49XYFPYC7 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中具备更低的功率损耗。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关效率，减少开关损耗。此外，其先进的沟槽式设计提升了器件的热稳定性，确保在高温环境下仍能可靠工作。
VCT49XYFPYC7 采用 PowerPAK SO-8 封装，具有优异的散热性能，适合高密度电路设计。该封装还提供了良好的电气性能，减少了寄生电感的影响，提高了整体系统的稳定性。
该 MOSFET 支持快速开关，适用于高频率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制以及负载开关等应用。其宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C) 确保了在极端环境下的可靠性。
VCT49XYFPYC7 常用于高性能电源管理系统中，如服务器电源、电信设备电源、笔记本电脑电源适配器、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）以及电机驱动电路。由于其优异的热性能和低导通电阻，该器件在需要高效能和紧凑设计的系统中表现出色。
此外，该 MOSFET 还适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等应用。其高可靠性和宽温度范围使其在汽车环境中具备出色的稳定性。
SiR142DP-T1-GE3, FDS4935B, IRF7493TRPBF
