时间：2025/7/16 17:20:00
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VCMT136E-100MN5 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高频率、高效能电源转换系统设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和卓越的热性能。其封装形式为 PowerPAK? MLP1212-4 封装，提供更小的 PCB 占位面积并优化了热管理能力。这款 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、负载开关以及同步整流等应用。
类型：N 通道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：8.7A
最大漏源电压 (Vds)：100V
最大栅源电压 (Vgs)：±12V
导通电阻 Rds(on)：18mΩ @ Vgs = 4.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：PowerPAK MLP1212-4
VCMT136E-100MN5 具备多项优异特性，首先它的导通电阻非常低，在 4.5V 的栅极驱动电压下仅为 18mΩ，这使得在大电流条件下损耗显著降低，从而提高整体系统的效率。其次，采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了跨导和开关速度，使该器件适合于高频开关应用。
此外，该 MOSFET 使用了 Vishay 独家的 PowerPAK MLP1212-4 封装技术，这种封装不仅尺寸紧凑，有助于节省 PCB 空间，而且具备优良的散热性能，确保在高功率密度环境下仍能保持稳定运行。
该器件还具有良好的抗雪崩击穿能力和出色的短路耐受性，使其在严苛的工作环境中也能可靠运行。内部寄生二极管的反向恢复时间较短，有利于减少开关损耗，并提升电路的整体稳定性。
VCMT136E-100MN5 主要应用于需要高性能功率管理的场合，例如笔记本电脑和平板电脑的 DC-DC 转换器、服务器电源模块、电池管理系统中的负载开关、工业自动化设备的电源供应单元等。此外，它也可用于电机控制、LED 驱动电路以及同步整流拓扑中，以实现更高的能量转换效率。
SiC440DK, SiC439DK, BSC018N04LS5
