VC120631M650是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效降低功耗并提升系统效率。
该型号中的VC代表制造商的系列标识,120表示芯片的最大耐压为120V,631代表其导通电阻值(以mΩ为单位),M表示采用小尺寸封装,而650则可能是批次或特定参数编码。
最大耐压:120V
导通电阻:6.31mΩ
连续漏极电流:30A
栅极电荷:35nC
总电容:1200pF
工作温度范围:-55℃至175℃
VC120631M650具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(6.31mΩ),能够在大电流应用中减少功率损耗。
2. 高开关速度设计,降低了开关过程中的能量损失,适用于高频开关应用。
3. 耐用性高,具备良好的短路保护能力,能够承受长时间的短路状态而不损坏。
4. 小型化封装,节省了电路板空间,适合紧凑型设计需求。
5. 宽工作温度范围(-55℃至175℃),确保在极端环境条件下仍能稳定运行。
6. 具备优异的热性能,可快速散逸热量,提高整体系统的可靠性。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 工业自动化设备
5. 新能源汽车中的逆变器
6. LED驱动电路
由于其低导通电阻和高效率特点,特别适合需要高效能和高温工作的场景。
VC120650M650
IRFZ44N
FDP18N10
STP30NF10