IXGH28N90 时间：2025/8/6 8:35:51 阅读：10

IXGH28N90是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用。这款MOSFET采用了先进的平面技术，提供了卓越的导通和开关性能。IXGH28N90的设计使其能够在高达900V的漏极-源极电压下工作，非常适合在高压电源、工业电机控制和电力电子设备中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：28A
　　最大漏极-源极电压：900V
　　导通电阻：0.33Ω
　　栅极电压范围：±30V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXGH28N90具有多个关键特性，使其在各种高压应用中表现出色。首先，它的高漏极-源极电压额定值为900V，允许在高压环境下安全运行。此外，该MOSFET的导通电阻较低，仅为0.33Ω，这有助于降低导通损耗并提高效率。
　　其先进的平面技术确保了良好的开关性能，同时减少了开关损耗，使其适用于高频开关应用。IXGH28N90的栅极电压范围为±30V，提供了良好的栅极控制能力，并增强了器件的可靠性。
　　此外，该器件的工作温度范围较宽，从-55°C到150°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行。IXGH28N90的封装类型为TO-247，这种封装形式提供了良好的散热性能，有助于保持器件的稳定性和寿命。

应用

IXGH28N90广泛应用于多种高电压和高功率电子设备中。例如，它常用于高压电源供应器，如开关电源（SMPS）和直流-直流转换器，以提供高效的电能转换。此外，IXGH28N90也适用于工业电机控制，包括变频器和伺服驱动器，用于控制电动机的速度和扭矩。
　　它还可以用于电力电子设备，如逆变器和整流器，以实现电能的高效转换和调节。由于其优异的性能和可靠性，IXGH28N90也常用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
　　此外，该MOSFET还可以用于各种工业自动化设备和测试设备，以实现精确的电力控制和管理。