GJM1555C1H8R5DB01D 是一款高性能的薄膜片式多层陶瓷电容器 (MLCC),属于高可靠性和高精度的应用范围。该型号主要应用于需要高频滤波、信号耦合和去耦等场景,广泛用于通信设备、工业控制、医疗电子以及航空航天等领域。
此电容器采用了先进的陶瓷材料技术,具有低ESL(等效串联电感)和低ESR(等效串联电阻),能够显著提高电路性能和稳定性。
容量:0.082μF
额定电压:50V
公差:±5%
温度特性:C0G/NP0
封装尺寸:1812英寸
直流偏压影响:无显著变化
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
绝缘电阻:大于10,000MΩ
GJM1555C1H8R5DB01D 具有出色的稳定性和可靠性,其温度特性为 C0G(NP0 类),这意味着它在宽温范围内具有极低的容量漂移率,通常小于±30ppm/℃。此外,该电容器的介质损耗非常低,适用于高频应用场景。
由于采用了特殊的制造工艺,这款电容器能够在高振动和高冲击环境中保持优异的电气性能。它的设计符合 RoHS 标准,并支持无铅焊接工艺。
与传统的铝电解电容相比,这种 MLCC 在高频下的表现更优,且具有更长的使用寿命。对于要求高精度和稳定性的电路设计,该型号是理想选择。
GJM1555C1H8R5DB01D 常用于需要高频性能和高稳定性的电子系统中,包括但不限于:
1. 通信基站中的射频滤波器和匹配网络
2. 高速数据传输链路中的信号耦合
3. 工业自动化设备中的电源去耦
4. 医疗仪器中的精密信号处理
5. 航空航天设备中的关键电路组件
6. 高可靠性汽车电子系统中的噪声抑制
GJM1555C1H8R5BB01D
GJM1555C1H8R5BC01D
GJM1555C1H8R5BD01D