VC0824BZNC 时间：2025/7/25 0:40:51 阅读：5

VC0824BZNC是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高效率，适用于需要高可靠性和高性能的电子系统。VC0824BZNC封装形式为TO-220AB，适用于多种工业标准应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：80A
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值8.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

VC0824BZNC具备多项高性能特性，使其成为电源管理领域的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具有较高的电流处理能力，漏极电流可达80A，适用于大功率应用场景。此外，VC0824BZNC采用Vishay的沟槽技术，优化了器件的热性能和开关性能，减少了开关损耗。
　　该MOSFET的栅源电压范围为±20V，提供了较好的栅极控制能力和稳定性。器件的漏源电压为80V，适用于大多数中低压功率转换应用，如DC-DC转换器、电机控制、电源开关和负载管理等。此外，VC0824BZNC的封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，能够在较高温度环境下稳定工作。
　　值得一提的是，VC0824BZNC还具备较高的耐用性和可靠性，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电子系统和工业自动化设备。其工作温度范围为-55°C至175°C，确保在极端环境条件下仍能保持稳定运行。

应用

VC0824BZNC广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也适用于高效率的电源适配器和电源模块设计。
　　在汽车电子领域，VC0824BZNC可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电动水泵和风扇控制等应用。其符合AEC-Q101标准，确保了在汽车环境中长期稳定运行的能力。此外，该MOSFET也可用于太阳能逆变器和储能系统的功率开关电路，以提高能量转换效率。