时间：2025/8/5 13:12:22
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VBO68-16N07 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高频率的开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，以提供更低的导通电阻（RDS(on)）和更高的效率。VBO68-16N07 属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、负载开关等高要求的电子系统。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，适合表面贴装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：160 V
漏极电流（ID）：50 A（在 TC=25°C 时）
导通电阻（RDS(on)）：最大 68 mΩ（在 VGS=10 V 时）
栅极电压（VGS）：±20 V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
VBO68-16N07 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流条件下，功率损耗显著降低，从而提高了整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使导通损耗和开关损耗达到最佳平衡，特别适用于高频开关应用。此外，VBO68-16N07 具备优异的热稳定性，其 TO-263 封装设计提供了良好的散热能力，能够在高功率密度环境下保持稳定运行。
另一个关键特性是其高耐压能力，漏源电压（VDS）额定值为 160 V，适用于中高压应用，如工业电源、电动工具和汽车电子系统。该器件还具有高电流承受能力，漏极电流可达 50 A，在高负载条件下依然保持优异的性能。此外，VBO68-16N07 的栅极驱动电压范围较宽（最高可达 20 V），支持灵活的驱动电路设计，并增强了开关速度和稳定性。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定程度的保护，从而提高系统的可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应各种严苛的工作环境，包括高温和低温应用场景。
VBO68-16N07 广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该器件在电源管理电路中可显著提升能效，减少散热需求。此外，它也常用于高侧和低侧开关电路，以及负载开关和热插拔保护电路中。
SiHF68N160E、IRFP4668、FDPF68N160、SPW68N160C3
