类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：12V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：68A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 7mΩ（在 Vgs=10V）
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　引脚数：8

VBO68-12N07 MOSFET 的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其 N 沟道结构提供了快速的开关速度，适用于高频开关应用，例如同步整流和 DC-DC 转换器。该器件的栅极驱动电压范围宽广，通常在 4.5V 到 20V 之间，使其适用于多种驱动电路配置。
　　该 MOSFET 采用先进的沟槽式工艺制造，优化了电流密度并减少了晶圆尺寸，从而在保持高性能的同时实现了紧凑的封装设计。PowerPAK SO-8 封装具有良好的热性能，支持有效的热量管理，适用于高功率应用。
　　VBO68-12N07 还具备较高的雪崩能量承受能力，提高了在高压瞬态条件下的可靠性。其高耐久性栅极氧化层确保在频繁开关操作下的稳定性和长寿命。此外，该器件符合 RoHS 标准，适用于无铅工艺和环保设计。

VBO68-12N07 MOSFET 主要用于需要高效率和高电流能力的电源管理系统中。典型应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制电路、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制部分。其低导通电阻和高电流能力使其特别适用于便携式设备和服务器电源等对效率和热管理要求严格的场景。
　　此外，该器件还可用于汽车电子系统中的功率控制，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。由于其优异的热性能和高可靠性，VBO68-12N07 也广泛应用于电源适配器、服务器电源供应器和 LED 照明驱动电路中。

Si2302DS, IRF7413, FDS6680, AO4406, NVTFS5C471NL