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BM12B-SRSS-G-TB(LF)(SN) 发布时间 时间:2025/10/11 3:24:20 查看 阅读:7

BM12B-SRSS-G-TB(LF)(SN) 是一款由ROHM(罗姆)公司生产的表面贴装型、小型化、高精度的霍尔效应传感器IC,主要用于检测磁场的存在与否,并将其转换为数字信号输出。该器件属于无磁滞霍尔开关类型,具有高灵敏度和稳定性,适用于各种需要非接触式位置检测的应用场景。其封装形式为SST4(SSOP-4),体积小巧,适合在空间受限的印刷电路板上使用。该芯片内部集成了霍尔元件、前置放大器、施密特触发器以及输出驱动晶体管,能够直接驱动负载,无需额外的信号调理电路。BM12B-SRSS-G-TB(LF)(SN) 采用CMOS工艺制造,具备低功耗特性,工作电压范围宽,典型值为2.7V至5.5V,适合电池供电设备使用。该产品符合RoHS环保标准,无铅(LF)且不含卤素(SN),满足现代电子产品对环保和安全性的要求。由于其高可靠性与良好的抗噪声性能,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域中的转速检测、门开闭检测、液位感应等场合。

参数

型号:BM12B-SRSS-G-TB(LF)(SN)
  类型:数字霍尔效应传感器
  工作电压范围:2.7V 至 5.5V
  工作电流:典型值 4.5μA(待机模式),6.5μA(工作模式)
  输出类型:开漏输出(Open Drain)
  感应方式:单极感应(面向S极有效)
  动作点磁感应强度(Bop):典型值 3.5mT
  释放点磁感应强度(Brp):典型值 2.5mT
  磁滞宽度:典型值 1.0mT
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:SST4 (SSOP-4)
  环保标准:符合 RoHS、无卤素(Halogen-free)、无铅(Lead-free)

特性

BM12B-SRSS-G-TB(LF)(SN) 采用先进的CMOS霍尔技术,实现了超低功耗运行,特别适用于需要长期工作的便携式或电池供电系统。其静态电流仅为4.5μA左右,在保证灵敏度的同时极大延长了电源寿命。该芯片内置稳压电路,能够在较宽的电源电压范围内稳定工作,增强了系统的适应性与可靠性。输出部分采用开漏结构,允许用户根据实际需求连接不同电平的上拉电阻,从而兼容多种逻辑电平系统,如3.3V或5V TTL/CMOS电路。
  该器件具有优异的磁滞特性,磁滞宽度约为1.0mT,有效防止了在临界磁场强度附近因微小波动导致的输出抖动,提升了信号输出的稳定性与抗干扰能力。其单极感应模式意味着仅对磁体的一个极性(通常是S极)响应,当磁场强度超过动作点Bop时,输出导通;当磁场减弱至释放点Brp以下时,输出关闭,这一特性使其非常适合用于判断物体是否到达指定位置。
  BM12B-SRSS-G-TB(LF)(SN) 的封装尺寸非常紧凑,SST4封装仅有1.6mm × 1.6mm × 0.55mm,便于实现在高密度PCB布局中的自动化贴片生产。此外,该芯片具备良好的耐热性和机械强度,可在高温环境下长期可靠运行。内部集成的滤波电路进一步提高了对外部电磁干扰的抑制能力,确保在复杂电磁环境中仍能保持精准检测。整体设计兼顾了性能、功耗与可靠性,是现代智能设备中理想的非接触式传感解决方案之一。

应用

该霍尔传感器广泛应用于智能手机和平板电脑中的翻盖睡眠唤醒功能,通过检测磁铁实现屏幕自动开关操作;在白色家电如洗衣机、微波炉中用于门盖状态监测,提升使用安全性;在电动自行车和汽车电子系统中用于速度检测、踏频感应或座椅位置识别;也可用于工业领域的接近开关、液位计、编码器及各类位置反馈装置中。此外,由于其小型化和低功耗特点,也常被用于可穿戴设备、智能家居传感器节点等对空间和能耗极为敏感的产品设计中。

替代型号

BM12B-SRSS-G-TB(LF)(SN) 的功能相近替代型号包括:Melexis MLX92211、Allegro A3141/A3142、Honeywell SS41F、Diodes Incorporated AH9254、Toshiba TCUS5803XBG

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