型号：2SA1235-T12-1F
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压(VDSS)：-30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-3A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ（@VGS = -10V）
　　导通电阻(RDS(on))：60mΩ（@VGS = -4.5V）
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容(Ciss)：570pF（@VDS=15V）
　　输出电容(Coss)：240pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容(Crss)：40pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷(Qg)：9nC（@VGS=-10V）
　　功耗(PD)：200mW
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-423(SC-74)
　　安装方式：表面贴装
　　通道数：单通道

2SA1235-T12-1F具备出色的电气性能和可靠性，其核心优势之一是低导通电阻，在VGS = -10V条件下，RDS(on)典型值仅为45mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长续航时间并减少发热。
　　该器件在VGS = -4.5V时仍能保持较低的导通电阻（60mΩ），表明其在低压驱动条件下依然具有良好的性能，兼容3.3V或更低逻辑电平的直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并降低成本。
　　2SA1235-T12-1F的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了器件在不同工作条件下的稳定开启与关闭，避免因阈值漂移导致误动作。同时，其输入、输出和反向传输电容较小，使得开关速度较快，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用如同步降压或升压转换器的上管控制。
　　该MOSFET具有高达-3A的连续漏极电流能力，能够支持中等功率级别的负载切换任务。脉冲电流可达-12A，进一步增强了其瞬态负载处理能力，适用于电机启动、LED闪光灯驱动等需要短时大电流的应用场景。
　　SOT-423封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过合理的PCB布局可有效将热量传导至地平面，提升长期运行的稳定性。此外，该器件具有良好的抗静电能力（HBM ESD rating），增强了在生产装配和现场使用中的鲁棒性。

2SA1235-T12-1F广泛应用于各类消费类电子和工业控制设备中。常见用途包括便携式设备（如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机）中的电池电源管理模块，作为主电源开关或备用电源切换开关，实现系统的软启动与节能控制。
　　在DC-DC转换电路中，它常被用作同步整流器的上管（high-side switch），尤其是在轻负载条件下，其低导通电阻和快速响应特性有助于提高转换效率并降低待机功耗。
　　该器件也适用于过压/欠压保护电路、热插拔控制器、USB端口电源开关以及LCD背光驱动电路中的电流控制部分。由于其P沟道特性，特别适合用于高端开关配置，避免使用复杂的自举电路或驱动芯片，从而简化电源架构设计。
　　在电机控制领域，2SA1235-T12-1F可用于小型直流电机的方向切换或启停控制，尤其适用于玩具、微型风扇、打印机等低功率设备。
　　此外，该MOSFET还可用于信号路由、多电源选择开关（power muxing）以及防止反向电流流动的防倒灌电路中，保障系统安全可靠运行。

2SA1235T121F, 2SA1235, AOD403, FDN340P, MMBFJ389, ZXM61P06, DMP2008UFG, SI2301DS, FMMT718, BSS84