容量：1Gb（128MB）
　　接口类型：8位并行NAND接口
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装尺寸：52引脚 TSOP
　　读取速度：最高可达50ns
　　写入速度：最高可达50ns
　　擦除时间：典型值为2ms
　　数据保持时间：10年
　　擦写周期：10万次

H27U1G8F2BTRBI NAND闪存芯片具备多项优异特性。其1Gb的存储容量在当时属于中高端水平，适合用于需要中等容量存储的嵌入式应用。该芯片采用标准的8位并行NAND接口，能够与多种控制器兼容，便于集成到现有系统中。
　　电源方面，H27U1G8F2BTRBI支持宽电压范围（2.7V至3.6V），使其在不同供电条件下都能稳定运行，增强了其在各种环境中的适应能力。芯片的封装形式为52引脚TSOP，这种封装方式不仅节省空间，还便于自动化生产和焊接。
　　在性能方面，该芯片的读取和写入速度均支持最高50ns的访问时间，确保了数据处理的高效性。擦除操作的典型时间为2ms，具备较快的擦写响应能力。此外，该NAND闪存支持高达10万次的擦写周期，数据保持时间长达10年，确保了长期使用的可靠性。
　　为适应不同应用场景的需求，H27U1G8F2BTRBI支持宽温工作范围（-40°C至+85°C），可在极端温度条件下正常工作，适用于工业控制、车载设备等复杂环境。

H27U1G8F2BTRBI NAND闪存芯片广泛应用于多种嵌入式系统和消费电子产品中。其主要用途包括作为便携式设备（如MP3播放器、数码相机和USB闪存盘）中的主存储介质。在这些设备中，它用于存储操作系统、应用程序、用户数据和媒体文件。
　　此外，该芯片也常用于工业控制系统、车载导航系统、智能卡设备以及网络通信设备中。在这些应用中，其高可靠性和长寿命特性能够满足设备长期运行和频繁数据读写的需求。
　　由于其并行接口的通用性，H27U1G8F2BTRBI可与多种控制器配合使用，广泛用于开发嵌入式系统的固件存储和数据缓存模块。该芯片还适用于需要高数据完整性和快速访问的存储扩展方案，如SD卡、eMMC模块和小型SSD等。

H27U1G8F2CTRBI, H27U1G8F2BTR-BC, H27U1G8F2CTR-BC, K9F1G08U0B, K9F1G08U0D