VBO13-08N02是一款由Vishay Siliconix生产的功率MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高效率的功率转换应用,如DC-DC转换器、电源管理和电池充电系统。VBO13-08N02采用了先进的沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该MOSFET封装在小型化的8引脚DFN(Dual Flat No-leads)封装中,便于在高密度电路板设计中使用。其额定电压为30V,最大连续漏极电流可达13A,适用于需要高功率密度和高效能的电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):13A(在25°C下)
导通电阻(Rds(on)):8mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:8引脚DFN
功耗(Pd):3.4W
VBO13-08N02具有多项优异的电气和物理特性,使其在高性能电源系统中表现出色。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))确保了在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高了整体能效。此外,该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,使得其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗。
VBO13-08N02的8引脚DFN封装不仅节省了PCB空间,还提供了良好的热性能,有助于热量的有效散发,从而提高了器件在高负载条件下的可靠性。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持3.3V至10V的栅极驱动,适用于多种控制电路。
此外,VBO13-08N02具有良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于严苛的工作环境。其高耐雪崩能量(Avalanche Energy)能力也确保了在突发电压尖峰情况下的可靠运行,提高了系统的整体耐用性。
VBO13-08N02广泛应用于各种需要高效功率管理的电子设备中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及便携式电子产品中的电源管理单元。此外,该器件也适用于服务器电源、电信设备电源和工业自动化控制系统中的功率开关部分。
Si8418EDB, AO4406A, FDS6680, IRF7413