时间：2025/8/5 22:16:05
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VBO13-08N02是一款由Vishay Siliconix生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高效率的功率转换应用，如DC-DC转换器、电源管理和电池充电系统。VBO13-08N02采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该MOSFET封装在小型化的8引脚DFN（Dual Flat No-leads）封装中，便于在高密度电路板设计中使用。其额定电压为30V，最大连续漏极电流可达13A，适用于需要高功率密度和高效能的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：13A（在25°C下）
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：8引脚DFN
功耗（Pd）：3.4W
VBO13-08N02具有多项优异的电气和物理特性，使其在高性能电源系统中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高了整体能效。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
VBO13-08N02的8引脚DFN封装不仅节省了PCB空间，还提供了良好的热性能，有助于热量的有效散发，从而提高了器件在高负载条件下的可靠性。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V至10V的栅极驱动，适用于多种控制电路。
此外，VBO13-08N02具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于严苛的工作环境。其高耐雪崩能量（Avalanche Energy）能力也确保了在突发电压尖峰情况下的可靠运行，提高了系统的整体耐用性。
VBO13-08N02广泛应用于各种需要高效功率管理的电子设备中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及便携式电子产品中的电源管理单元。此外，该器件也适用于服务器电源、电信设备电源和工业自动化控制系统中的功率开关部分。
Si8418EDB, AO4406A, FDS6680, IRF7413
