型号：UPZW6680MHD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-5.0A（@TC=75℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-14A
　　导通电阻RDS(on)：30mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：25mΩ（@VGS=-10V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：1070pF（@VDS=-10V）
　　输出电容（Coss）：450pF（@VDS=-10V）
　　反向传输电容（Crss）：60pF（@VDS=-10V）
　　栅极电荷（Qg）：13nC（@VGS=-10V）
　　功耗（PD）：1.5W（@TC=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOP-8

UPZW6680MHD采用ROHM先进的Trench结构工艺，实现了极低的导通电阻RDS(on)，从而显著降低导通损耗，提高系统能效。在VGS=-4.5V条件下，其典型RDS(on)仅为30mΩ，在更高驱动电压下（如-10V）可进一步降至25mΩ，适合需要大电流通过但又受限于电压驱动能力的应用场景。器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，保证了在低电压逻辑信号下也能可靠开启，适用于由3.3V或5V控制器直接驱动的电路设计。该MOSFET具备优良的开关特性，输入电容Ciss为1070pF，反向传输电容Crss仅为60pF，有助于减少高频开关时的噪声干扰和栅极驱动损耗，提升整体开关效率。
　　该器件内置ESD保护二极管，人体模型（HBM）耐压可达±2000V，提升了在装配和使用过程中的抗静电能力。SOP-8封装不仅节省空间，还通过裸露焊盘设计增强了散热性能，使器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。此外，UPZW6680MHD经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环试验，确保长期运行稳定性。其无铅、无卤素的设计符合现代绿色电子产品的环保要求。得益于优异的热阻特性和稳定的电气参数，该MOSFET可在-55℃至+150℃的宽结温范围内稳定工作，适用于各种严苛环境下的电源管理任务。

UPZW6680MHD广泛应用于多种电源管理场景，尤其是在需要高效率和小尺寸解决方案的便携式电子设备中表现突出。常见应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的电池电源切换电路，用于控制主电源与备用电源之间的切换，防止反向电流流动并实现快速关断。该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流部分，作为高端开关使用，因其低RDS(on)可有效减少功率损耗，提高转换效率。
　　在负载开关电路中，UPZW6680MHD可用于控制外设模块的供电，例如摄像头模组、Wi-Fi模块或传感器单元的上电时序管理，避免浪涌电流对系统造成冲击。此外，它还可应用于USB电源开关、充电管理电路以及各类嵌入式控制系统中的电源路径管理。由于其具备良好的热稳定性和过载承受能力，该MOSFET也适用于工业级电源模块和小型电机驱动电路。在汽车电子领域，虽然非车规级，但在某些辅助电源系统中也可作为低成本、高性能的替代方案使用。总之，凡是需要P沟道MOSFET实现低导通损耗、高可靠性电源控制的场合，UPZW6680MHD都是一个极具竞争力的选择。

ZXM62N03F, SI2301DS, FDN360P, AO3401A