VBO125-08N07 是一款由 Vishay Semiconductors(威世科技)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及电池供电系统等领域。该 MOSFET 采用 TO-220 封装形式,具备良好的散热性能,适合工业级应用。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流:125A
最大漏-源电压:80V
导通电阻(Rds(on)):8mΩ(最大)
栅极电荷(Qg):160nC(典型)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220
功率耗散:200W(最大)
VBO125-08N07 具备多项优异特性,使其适用于高要求的电力电子应用。
首先,该器件的导通电阻仅为 8mΩ(最大),在高电流工作状态下可显著降低功率损耗,提高系统效率。这种低 Rds(on) 特性也使其在高温下仍能保持稳定运行,具备良好的热稳定性。
其次,该 MOSFET 的最大漏极电流可达 125A,支持高功率负载操作,适用于如电机驱动、逆变器和大功率电源等应用场景。同时,其最大漏-源电压为 80V,能够满足多种中高压系统的电压需求。
此外,VBO125-08N07 的栅极电荷(Qg)为 160nC(典型),在高频开关应用中具备较快的开关速度,有助于减少开关损耗并提升系统响应速度。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适用于宽温度范围的工业环境。
其采用 TO-220 封装,具备良好的散热能力,有助于提高器件在高功率工作状态下的可靠性和寿命。TO-220 封装也便于安装在散热片上,适用于多种电路板设计和安装方式。
VBO125-08N07 主要应用于需要高电流、高效率和高可靠性的电力电子系统。典型应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电机控制模块、电池管理系统(BMS)、逆变器以及各种工业自动化设备中的功率开关电路。
在电源管理系统中,该 MOSFET 可用于高效率的开关电源(SMPS)设计,提供稳定的输出电压和高效的能量转换。由于其低导通电阻和高电流承载能力,VBO125-08N07 特别适合用于高负载电流的 DC-DC 转换器中,如服务器电源、电信设备和工业控制系统。
在电机控制方面,该器件可用于无刷直流电机(BLDC)驱动器和电动工具控制器,提供快速响应和高效能的开关操作。同时,VBO125-08N07 也适用于电池供电设备中的电源管理,例如电动汽车(EV)充电器、储能系统和不间断电源(UPS)等。
此外,由于其良好的热性能和宽工作温度范围,VBO125-08N07 在户外和工业环境中的使用也非常广泛,例如太阳能逆变器、智能电网设备和自动化控制系统。
IRF1405, STP120N8F7AG, FDP120N80S3, NTD120N80L178AT