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H9HCNNNCPMMLXR-NEE 发布时间 时间:2025/5/10 10:27:53 查看 阅读:8

H9HCNNNCPMMLXR-NEE 是一款由海力士(SK Hynix)生产的存储类芯片,具体属于 NAND Flash 系列。该型号主要应用于需要大容量数据存储的场景,例如固态硬盘(SSD)、U盘、嵌入式系统以及消费电子设备等。其设计符合现代 NAND Flash 的高性能和高可靠性的标准,能够提供快速的数据读写速度和较长的使用寿命。

参数

类型:NAND Flash
  容量:256Gb (32GB)
  接口:Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V/3.3V
  封装形式:WSP(Wafer Level Stack Package)
  页大小:16KB
  块大小:1MB
  通道数:8
  I/O性能:最高可达400MT/s
  擦写寿命:3000次 (典型值)
  数据保持时间:10年

特性

H9HCNNNCPMMLXR-NEE 具有以下显著特点:
  1. 高性能:采用 Toggle Mode 2.0 接口,数据传输速率可达 400MT/s,适用于对速度要求较高的应用。
  2. 大容量:单颗芯片容量为 256Gb (32GB),适合需要大存储空间的设计。
  3. 小型化封装:使用 WSP 封装技术,有助于减少 PCB 占用面积,非常适合空间受限的应用环境。
  4. 可靠性:具备较长的数据保持时间和较高的擦写寿命,确保在各种工作条件下的稳定性。
  5. 节能高效:支持多种省电模式,降低功耗,延长设备电池续航时间。

应用

H9HCNNNCPMMLXR-NEE 广泛应用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD):作为主存储介质,提供大容量和高性能的数据存储能力。
  2. 嵌入式系统:用于工业控制、车载系统等需要稳定性和高性能的嵌入式应用。
  3. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑、数码相机等,提供可靠的存储解决方案。
  4. USB 存储设备:如 U 盘和移动硬盘,满足消费者对便携式存储的需求。

替代型号

H9HCNNNCPMMCLR-NEE
  H9HCNNNCPMMLUR-NEE

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