型号：UTM4052
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：50V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：75A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.3mΩ（最大值，VGS=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：68nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：2800pF（典型值，VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：1100pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

UTM4052采用先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构能够显著降低导通电阻，同时提升单位面积下的电流承载能力。其超低的RDS(on)值确保了在大电流应用中功耗最小化，从而提高了系统的整体效率并减少了散热需求。该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为1.8mΩ，即使在高负载条件下也能保持较低的温升，延长了使用寿命并增强了系统可靠性。此外，由于采用了优化的晶圆设计，UTM4052在高温环境下的RDS(on)增长较小，保证了在恶劣工况下的稳定性能。
　　该MOSFET具备快速开关特性，得益于其较低的栅极电荷（Qg=68nC）和输入电容（Ciss=2800pF），使得驱动电路的设计更加简单且高效。这不仅降低了驱动IC的负担，还能减少开关过程中的能量损耗，特别适用于高频DC-DC变换器和同步整流应用。同时，UTM4052的输出电容（Coss）较低，有助于减小关断时的能量损耗，进一步提升转换效率。
　　在安全性和耐用性方面，UTM4052具有高达±20V的栅源电压耐受能力，有效防止因栅极过压导致的器件损坏。其宽泛的工作结温范围（-55℃至+175℃）使其可在极端温度环境下正常运行，适用于工业级和汽车级应用场景。此外，该器件通过了多项国际可靠性认证，具备良好的抗雪崩能力和抗短路能力，能够在瞬态过载情况下提供一定的自我保护机制。
　　TO-252封装不仅提供了优良的热传导路径，还支持自动化贴片生产，提升了制造效率。整体而言，UTM4052以其高性能、高可靠性和成本优势，在中小功率电源系统中展现出强大的竞争力，是现代高效能电源设计中的理想选择。

UTM4052广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它常被用作主开关管或同步整流管，尤其适用于降压（Buck）、升压（Boost）及反激式（Flyback）拓扑结构，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升了电源转换效率并降低了热量产生。在DC-DC转换模块中，该器件可用于服务器电源、通信电源、嵌入式系统供电单元等对能效要求较高的场合。
　　在电机驱动应用中，UTM4052可作为H桥电路中的开关元件，驱动直流电机或步进电机，适用于电动工具、家用电器、工业自动化设备等场景。其高电流承载能力和快速响应特性，确保了电机启动和调速过程中的平稳运行。
　　此外，UTM4052也常见于电池管理系统（BMS）、逆变器、LED驱动电源和UPS不间断电源等设备中，承担功率开关或负载切换功能。在新能源领域，如太阳能控制器和电动汽车辅助电源系统中，该器件因其高可靠性和耐久性而受到青睐。
　　由于其封装小巧且散热良好，UTM4052也非常适合空间受限的便携式设备和高密度PCB布局设计。总之，无论是工业控制、消费电子还是通信基础设施，UTM4052都能提供稳定、高效的功率控制解决方案。

UTM4052A
　　AP4052M
　　SiSS108DN
　　AOZ5252N