BF423-AT 时间：2025/12/28 15:26:33 阅读：15

BF423-AT 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于中低功率的开关电路和放大器电路中。这款MOSFET具有高可靠性和优良的热稳定性，适用于各种工业控制、电源管理和汽车电子系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：400V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：5A
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220AB
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.5Ω
　　

特性

BF423-AT MOSFET具备多项优异特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其高漏源电压（VDS）达到400V，适合中高电压的应用，例如开关电源和电机驱动电路。其次，该器件的栅源电压（VGS）为±30V，提供了较高的栅极控制灵活性，并确保在不同驱动条件下能够稳定运行。漏极电流能力为5A，支持中等功率负载的高效切换。此外，其50W的功耗设计允许在较高的温度环境下工作，同时保持良好的热稳定性。
　　该器件采用TO-220AB封装形式，具备优良的散热性能，方便安装在标准的散热片上。BF423-AT的导通电阻约为1.5Ω，这在同类器件中处于较低水平，有助于减少导通损耗，提高能效。同时，该器件的抗雪崩击穿能力较强，提高了系统在突发高电压情况下的稳定性与安全性。

应用

BF423-AT MOSFET被广泛应用于多个领域，包括工业自动化控制、开关电源、逆变器、直流电机驱动以及汽车电子设备。在工业自动化中，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）中的负载开关，以控制继电器、电磁阀等执行机构。在开关电源中，该器件用于主开关或次级整流，提高电源转换效率。在直流电机驱动应用中，BF423-AT可用于H桥电路实现正反转控制。此外，由于其良好的热特性和可靠性，它也适用于汽车电子系统中的各种控制模块，如车灯控制、电动窗驱动等。